[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110344420.8 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094119A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；
利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；
基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为半导体制造过程中出现的退火处理步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理包括激光退火、均温退火、峰值退火或闪光灯退火。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电学特性包括栅极和漏极之间的电容以及开启电流。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述局部热处理为激光退火。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述局部热处理的温度为500-1300℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
