[发明专利]一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器，其特征在于：包括p型衬底、正八边形n阱、p+掺杂区、n+掺杂区、耗尽层、浅掺杂p+掺杂区、氧化层和铝层，所述的正八边形n阱位于p型衬底上，p+掺杂区位于正八边形n阱边缘外侧，n+掺杂区位于正八边形n阱边缘内侧，所述的耗尽层位于正八边形n阱与p型衬底的交界处，所述的浅掺杂p+掺杂区位于正八边形n阱上方，所述的氧化层位于正八边形n阱表面，铝层位于n+掺杂区上方。

2.一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在p型衬底上注入一层正八边形n阱；

2）在正八边形n阱边缘外侧注入两个p+掺杂区；

3）在正八边形n阱每条边的边缘内侧注入n+掺杂区；

4）在正八边形n阱与p型衬底的交界处由离子的扩散效应形成一层耗尽层；

5）在正八边形n阱上方注入一层浅掺杂的p+掺杂区，使其覆盖整个正八边形n阱区域；

6）在整个正八边形n阱表面生长一层氧化层；

7）用特制的光刻掩模版光刻掉n+掺杂区上方的氧化层；

8）在去掉氧化层的区域生长一层铝层，作为金属电极，从而引出正八边形n阱的八个端子。