[发明专利]一种新型多孔硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201110344679.2 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102400217A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 展长勇;任丁;邹宇;刘波;林黎蔚;黄宁康 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10;C25F3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多孔 及其 制备 方法 | ||
1.一种新型多孔硅，其特征在于：包括单晶硅（1）、镶嵌在单晶硅（1）中的柱形纳米多孔硅（3）及位于单晶硅（1）上的表面纳米多孔硅（4）；所述柱形纳米多孔硅（3）内壁围成的空腔为直孔（2）。
2.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述单晶硅为1至100 Ωcm的n型单晶硅基片。
3.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述柱形纳米多孔硅（3）垂直于表面纳米多孔硅（4），且与表面纳米多孔硅（4）连为一体。
4.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述单晶硅（1）中至少包含一个柱形纳米多孔硅（3），所有柱形纳米多孔硅（3）平行排列。
5.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述柱形纳米多孔硅（3）和表面纳米多孔硅（4）为海绵状多孔结构，孔尺寸在5 nm以下。
6.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述直孔（2）截面为正方形结构，边长为100-170 nm，孔深为0-70 μm。
7.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述表面纳米多孔硅（4）层厚度为100-300 nm。
8.根据权利要求1所述的一种新型多孔硅，其特征在于：所述柱形纳米多孔硅（3）壁的厚度为50-250 nm。
9.一种权利要求1所述的新型多孔硅的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤一、清洗基片，将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗10分钟，取出吹干；
步骤二、安装基片，将硅片安装到电化学腐蚀槽，腐蚀槽为敞开式，抛光面朝向槽内，并保持有光进入，背面朝外，垫石墨片或金属片并引出电极接线；
步骤三、配溶液，将浓HF酸和有机溶剂按1:1至1:1.5的体积比混合；
步骤四、接电源，将配制的混合溶液倒入腐蚀槽，硅片抛光面接触溶液，溶液中插入碳棒或铂丝做电极并接阳极，硅片背面电极接阴极；
步骤五、腐蚀基片，直流电源设定在40-70 V之间，电流设定在20-60 mA/cm2之间，腐蚀时间为1-10 min制得本发明提供的新型多孔硅。
10.如权利要求9所述的新型多孔硅的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为乙醇、丙醇、异丙醇、甲醇中的一种。
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