[发明专利]结晶设备、结晶方法及制造有机发光显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201110344773.8 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN102554459A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 朴喆镐 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B23K26/04;H01L21/268;H01L21/77
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 结晶 设备 方法 制造 有机 发光 显示装置
【说明书】:

技术领域

实施例涉及结晶设备、结晶方法和制造有机发光显示装置的方法。实施例涉及例如通过包括至少一个激光产生装置和多个光学系统能够在基板的部分区域上选择性地使用连续横向固化(SLS)来执行非晶硅的结晶的结晶设备。实施例涉及结晶方法和制造有机发光显示装置的方法。

背景技术

有源矩阵(AM)型有机发光显示装置可以针对每个像素包括像素驱动电路。像素驱动电路可以包括由硅形成的薄膜晶体管(TFT)。非晶硅或多晶硅可以用作形成TFT的硅。

制造这种多晶硅的方法可以有多种。例如,制造多晶硅的方法可以包括直接沉积多晶硅,和沉积非晶硅并使非晶硅结晶。

发明内容

实施例致力于一种结晶设备、结晶方法和制造有机发光显示装置的方法。

实施例可以通过提供一种结晶设备来实现,其使用连续横向固化(SLS)并使形成在基板上的非晶硅结晶,所述结晶设备包括:用于发射激光束的激光产生装置;用于处理从所述激光产生装置发射的激光束并将处理后激光束照射到所述基板上的第一光学系统;所述第一光学系统平行形成、并且用于处理从所述激光产生装置发射的激光束将处理后的激光束照射到所述基板上的第二光学系统;以及用于切换从所述激光产生装置发射的激光束的路径并将所述激光束交替分配到所述第一和第二光学系统的路径切换构件。

从所述激光产生装置发射的激光束可以周期性地交替传输到所述第一和第二光学系统。

从所述激光产生设备装置发射的激光束可以在所述基板相对于所述结晶设备移动的同时照射到所述基板上。

多个面板可以平行设置在所述基板上,所述第一光学系统可以被设置为对应于第一面板以使所述第一面板上的多晶硅层结晶,并且所述第二光学系统可以被设置为对应于第二面板以使所述第二面板上的多晶硅层结晶。

当所述第一光学系统越过所述第一面板上的非晶硅层的需要结晶的区域时,从所述激光产生装置发射的激光束可以通过所述第一光学系统而照射到所述第一面板上,并且当所述第二光学系统越过所述第二面板上的非晶硅层的需要结晶的区域时,从所述激光产生装置发射的激光束可以通过所述第二光学系统而照射到所述第二面板上。

从所述激光产生装置发射的激光束可以是脉冲激光束。

所述基板上一次照射脉冲激光束的第一激光照射区域,与下次照射脉冲激光束的第二激光照射区域,可以被形成为彼此部分重叠。

所述第一激光照射区域和所述第二激光照射区域的重叠区域中的非晶硅层可以通过两次熔融并固化而结晶。

所述路径切换构件可以包括反射部分和透射部分,其中所述反射部分和所述透射部分可以被交替设置在所述激光束的路径上。

当所述透射部分被设置在所述激光束的路径上时,所述激光束可以通过所述透射部分被传输到所述第一光学系统。

当所述反射部分被设置在所述激光束的路径上时,所述激光束可以在所述反射部分处被反射并被传输到所述第二光学系统。

所述路径切换构件可以执行相对于所述激光束的路径的往复移动。

所述路径切换构件可以包括棱镜,其中从所述激光产生装置发射的激光束可以交替照射到所述棱镜的第一表面和第二表面。

所述路径切换构件可以包括棱镜,其中所述棱镜可以执行相对于所述激光束的路径的往复移动。

所述激光产生装置可以包括第一激光产生装置和第二激光产生装置。

所述第一和第二激光产生装置产生的激光束可以是脉冲激光束并且交替照射到所述基板上。

所述第二激光产生装置产生的所述激光束可以产生于所述第一激光产生装置产生的脉冲激光束的脉冲之间。

实施例还可以通过提供一种结晶方法而实现,所述结晶方法使用连续横向固化(SLS)并使形成在基板上的非晶硅层结晶,所述基板上平行设置有多个面板,所述结晶方法包括:在所述基板上形成所述非晶硅层;相对于结晶设备相对移动所述基板;通过在所述基板相对于所述结晶设备相对移动的同时,将激光束交替照射到彼此平行设置的所述多个面板中的第一面板和第二面板上来执行结晶。

所述结晶的执行可以选择性地只结晶所述非晶硅层的一部分。

当激光产生装置越过所述第一面板上的非晶硅层的需要结晶的区域时,从所述激光产生装置发射的激光束可以照射到所述第一面板上,并且当所述激光产生装置越过所述第二面板上的非晶硅层的需要结晶的区域时,从所述激光产生装置发射的所述激光束可以照射到所述第二面板上。

所述结晶的执行可以包括只选择性地使所述非晶硅层的形成有源层的区域结晶。

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