[发明专利]改进的石墨坩埚

说明书

技术领域

     本发明涉及改进的石墨坩埚。

背景技术

     生长硅单晶的装置一般是采用保持原料硅熔体的石英坩埚，其中该坩埚被石墨坩埚包围，该石墨坩埚用来支撑石英坩埚并实现对石英坩埚进行均匀加热，但是现有的石墨坩埚由于结构简单，存在着传热效率低，加热缓慢，加热时间长，能耗消耗大，浪费资源等缺点，不能满足使用者的使用需求。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是：针对上述不足，提供一种结构合理、传热效率高、加热迅速的改进的石墨坩埚。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有一层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。

所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。

所述排气孔至少为1个。

所述排气孔为2个。

  本发明改进的石墨坩埚，坩埚本体的侧表面设有凹槽，设置凹槽是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有一层保温层，它对坩埚本体的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体的底部设有排气孔，其可以排出坩埚内部产生的有害气体，避免其发生变形，延长其使用寿命。

   本发明的优点是：结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细叙述。

图1为本发明结构示意图。

其中：1、坩埚本体，2、凹槽，3、保温层，4、排气孔。

具体实施方式

 如图1所示，本发明改进的石墨坩埚，包括坩埚本体1，坩埚本体1的侧表面设有凹槽2，坩埚本体1的底部设有一层保温层3，坩埚本体1的底部2个设有排气孔4，凹槽2间隔均匀设置于坩埚本体1的侧表面。

  本发明改进的石墨坩埚，坩埚本体1的侧表面设有凹槽2，设置凹槽2是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有一层保温层3，它对坩埚本体1的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体1的底部设有排气孔4，其可以排出坩埚内部产生的有害气体，避免其发生变形，延长其使用寿命。