[发明专利]多晶硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一多晶硅基板，所述多晶硅基板为第一型；

使所述多晶硅基板的至少一表面粗糙化；

形成一吸光结构于所述多晶硅基板上，其中所述吸光结构的能带间隙异于所述多晶硅基板的能带间隙；

在所述表面上掺杂多数的第二型杂质，所述这些第二型杂质会扩散进入所述吸光结构及所述多晶硅基板的一部分，形成一第二型杂质扩散区，以使所述多晶硅基板具有一第一型区域及一第二型区域；

形成一抗反射层于所述吸光结构上；以及

形成电连接所述第一型区域及所述第二型区域的一电极结构。

2.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，形成所述吸光结构于所述多晶硅基板上的步骤包含：

形成一第一吸光层于所述多晶硅基板上，且所述第一吸光层的能带间隙异于所述多晶硅基板的能带间隙。

3.如权利要求2所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，形成所述吸光结构于所述多晶硅基板上的步骤还包含：

形成一第二吸光层于所述第一吸光层上，所述第一吸光层的能带间隙异于所述第二吸光层的能带间隙，且所述第二吸光层的能带间隙异于所述多晶硅基板的能带间隙。

4.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，形成所述吸光结构于所述多晶硅基板上的步骤包含：

将所述多晶硅基板置于一设备的一反应室中，采用一第一参数表并通入多种制程气体，以形成一第一吸光层于所述多晶硅基板上；以及

将所述多晶硅基板置于所述设备的所述反应室中，采用一第二参数表并通入所述多种制程气体形成一第二吸光层于所述第一吸光层上，所述第一吸光层的能带间隙异于所述第二吸光层的能带间隙，且所述第一吸光层及所述第二吸光层的能带间隙异于所述多晶硅基板的能带间隙。

5.如权利要求4所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于：

在形成所述第一吸光层于所述多晶硅基板上的步骤中，所述这些制程气体包含H₂、NH₃及SiH₄，且所述第一参数表包含一第一供电功率及一第一温度；

在形成所述第二吸光层于所述第一吸光层上的步骤中，所述这些制程气体包含H₂、NH₃及SiH₄，且所述第二参数表包含一第二供电功率及一第二温度，且所述第二供电功率异于所述第一供电功率，及所述第二温度异于所述第一温度。

6.如权利要求5所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，形成所述抗反射层于所述吸光结构上的步骤，包含将所述多晶硅基板置于另一设备的另一反应室中，采用一第三参数表并通入NH₃及SiH₄的所述制程气体来形成所述抗反射层。

7.如权利要求6所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，所述第一吸光层为一微晶硅层，所述第二吸光层为一非晶硅层，而所述抗反射层为一氮化硅层。

8.如权利要求3至7中任一项所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，所述第一吸光层及所述第二吸光层的能带间隙介于1.1eV～1.8eV之间，且所述第二吸光层的能带间隙大于所述第一吸光层的能带间隙。

9.如权利要求5所述的多晶硅太阳能电池制造方法，其特征在于，所述制程气体还包含PH₃。

10.一种多晶硅太阳能电池，具有互相连接的一第一型区域及一第二型区域，其特征在于，包含：

一多晶硅基板，其为第一型；

一吸光结构，设于所述多晶硅基板上，所述第二型区域包含所述吸光结构及所述多晶硅基板的靠近所述吸光结构的一部分，而所述多晶硅基板的另一部分形成所述第二型区域，且所述吸光结构的能带间隙异于所述多晶硅基板的能带间隙；

一抗反射层，设于所述吸光结构上；以及

一电极结构，电连接所述第一型区域及所述第二型区域，借以产生电流。