[发明专利]晶体管及制造晶体管的方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

基极；

发射极，以及

集电极，其中该基极的第一端宽度比该基极的中间宽度大，其中该集电极的第一端宽度比该集电极的中间宽度大，或其中该发射极的第一端宽度比该发射极的中间宽度大。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中该基极包括与该第一端宽度相对的第二端宽度并且该基极的该第二端宽度大于该基极的该中间宽度，其中该集电极包括与该第一端宽度相对的第二端宽度并且该集电极的该第二端宽度大于该集电极的该中间宽度，或其中该发射极包括与该第一端宽度相对的第二端宽度并且该发射极的该第二端宽度大于该发射极的该中间宽度。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中该基极的第一和第二端宽度基本上相等，其中该集电极的第一和第二端宽度基本上相等，或其中该发射极的第一和第二端宽度基本上相等。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其中该基极的第一端宽度为大约1000nm或更小，其中该基极的中间宽度为大约500nm或更小，以及该基极的第二端宽度为大约1000nm或更小。

5.一种制作晶体管的方法，该方法包括：

在衬底上形成半导体材料层；

在该半导体材料层上形成第一光刻胶，该第一光刻胶包括第一杠铃形状的开口；以及

通过该开口注入第一导电类型的掺杂剂到该半导体材料中形成第一区域。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

去除该第一光刻胶；

形成第二光刻胶，该第二光刻胶包括第二杠铃形状的开口；以及

通过该开口注入第二导电类型的掺杂剂到该半导体材料中形成第二区域，第二导电类型掺杂剂与第一导电类型掺杂剂不同。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该第二区域嵌入到该第一区域中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该第二区域为发射极区域而第一区域为基极区域。

9.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在第一半导体材料层中形成集电极区域；

在该第一半导体材料上的第二半导体材料中形成基极区域；以及

在该第二半导体材料中形成与该基极区域相邻的发射极区域，其中该基极区域包括第一端区域宽度和内部区域宽度，且其中该第一端区域宽度比该内部区域宽度更宽。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该基极区包括第二端区域宽度，且其中该第二端区域宽度比该内部区域宽度更宽。

11.根据权利要求9所述的方法，其中该发射极区域嵌入到该基极区域中并且其中基极区域直接设置在集电极区域上。

12.根据权利要求9所述的方法，其中形成基极区域包括应用具有杠铃形状开口的注入掩模。

13.根据权利要求9所述的方法，其中制造该半导体器件包括形成射频晶体管。

14.根据权利要求9所述的方法，其中形成该第二半导体材料包含：

在该第一半导体材料上形成绝缘材料；

图案化该绝缘材料；

在该绝缘材料中形成开口，该开口在该集电极区域上；

在该开口中填充该第二半导体材料；以及

利用具有杠铃形状开口的注入掩模在该开口中掺杂该第二半导体材料。

15.根据权利要求9所述的方法，其中形成该第二半导体材料包含：

在该第一半导体材料上形成第二半导体材料；

图案化该第二半导体材料；

去除除了该集电极区域上之外的区域中的该第二半导体材料；

在该区域中填充绝缘材料；以及

利用具有杠铃形状开口的注入掩模掺杂该第二半导体材料。

16.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成第一半导体材料；

在该第一半导体材料上形成第二半导体材料；

在该第二半导体材料中形成开口，该开口包含杠铃形状；以及

利用该开口注入掺杂剂到该第一半导体材料。