[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法

权利要求书

1.一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片；

(2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺；

(3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘；

(4)光刻胶的旋涂和烘烤；

(5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形；

(6)显影后烘烤；

(7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶；

(8)非感光性聚酰亚胺的固化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的非感光性聚酰亚胺的多步软烘，每一步的烘烤温度都不相同且都低于传统一步软烘的温度，其每一步的烘烤温度为50-150℃，烘烤时间为0.5-60分钟。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的非感光性聚酰亚胺的多步软烘采用三步软烘，其中第一步的软烘条件为：烘烤温度为80℃，烘烤时间为7分钟，第二步的软烘条件为：烘烤温度为100℃，烘烤时间为5分钟，第三步的软烘条件为：烘烤温度为110℃，烘烤时间为3分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的光刻胶是指曝光波长为436纳米的G-line，365纳米的I-line，248纳米的KrF和193纳米的ArF中的任意一种正性或负性光刻胶。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的光刻胶的烘烤温度应低于步骤(3)所述的多步软烘中最高温度的10-40℃，烘烤时间为0.5-10分钟。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的光刻胶的烘烤温度为90℃，烘烤时间为1.5分钟。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的显影后烘烤的温度要比步骤(3)所述的多步软烘中最高温度高10-20℃，烘烤时间为0.5-10分钟。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的烘烤温度为140℃，烘烤时间为5分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述的光刻胶剥离液能够剥离去除光刻胶，但不能剥离去除非感光性聚酰亚胺。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述的光刻胶剥离液指丙二醇甲醚醋酸酯或丙二醇甲醚或其组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(8)中，所述的非感光性聚酰亚胺的固化，其固化温度为200-500℃，固化时间为30-120分钟。