[发明专利]一种纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源

权利要求书

1.一种纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：在有机或无机材质的基板上设置有能产生隧穿效应的电子源；所述的电子源由电子发射层，介质传导层和电子透射层构成；所述电子发射层平铺在基板表面，介质传导层平铺在电子发射层表面，电子透射层连续或非连续平铺在介质传导层表面。

2.根据权利要求1所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述电子发射层和电子透射层是二维纳米材料或一维纳米材料；所述的一维纳米材料是纳米线、纳米管、纳米带，直径是1-200nm，长度是0.01-20μm。

3.根据权利要求2所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述电子发射层的厚度是10～1000nm；电子透射层的厚度是10～200nm；所述电子透射层纳米材料覆盖电子透射层表面面积的30～70％。

4.根据权利要求2所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述电子发射层和电子透射层是石墨烯，碳纳米管，氧化锌，氧化锡，氧化镁，氧化铜，氧化钛，氧化锰，氧化铁，氧化钴，氧化镍，氧化银，氧化钨，氧化铅，氧化铋，氮化铝中的一种纳米材料或多种纳米材料构成的复合材料。

5.根据权利要求2所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述电子发射层和电子透射层的制备方法是原位生长法，溶胶-凝胶法，水热法，热蒸发法，化学气相沉积法中的一种。

6.根据权利要求1所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述介质传导层是厚度是10～500nm的致密材料或孔径是1～20nm，厚度是10～500nm的疏松多孔材料。

7.根据权利要求6所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述介质传导层的材料是氧化硅，氮化硅，氧化铝，五氧化二钽，氧化钛，氧化镁中的一种。

8.根据权利要求6所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述介质传导层的制备方法是阳极氧化法，化学气相沉积法，溅射镀膜法，蒸发镀膜法中的一种。

9.根据权利要求1所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述无机基板是普通透明玻璃、石英玻璃，Si片，SiC基板或AlN陶瓷基板。

10.根据权利要求1所述的纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：所述有机基板是聚氯乙烯，聚四氟乙烯、酚醛树脂、环氧树脂、聚酯树脂、玻璃纤维布基CCL有环氧树脂、双马来酰亚胺改性三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、二亚苯基醚树脂、苯乙烯-马来酸酐共聚物树脂、聚异氰酸酯树脂或聚烯烃树脂。