[发明专利]LED面光源模组以及获得均匀面光源白光的方法无效
申请号: | 201110349004.7 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102506327A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 陈宇 | 申请(专利权)人: | 上海亚明灯泡厂有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V13/02;F21Y101/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 201801 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 光源 模组 以及 获得 均匀 白光 方法 | ||
技术领域
本发明属于白光LED的技术领域,特别涉及一种LED面光源模组以及获得均匀面光源白光的方法。
背景技术
自从LED白光照明技术逐渐成熟后,LED作为各种照明光源已得到广泛应用。目前LED照明方案中,LED作为半导体照明新型光源在点光源方面的应用能实现较为均匀的发光强度,但是当LED作为面光源时,存在各点发光强度不均匀的问题,从而使其整体光强度有所下降。当前解决方法有以下几种。如设置多个光源,但是多个光源占用了一定的空间,而且当被照射区域离光源很近时,点光源的特性很突出。或者在光源(多为光源阵列)上增设导光板或漫反射材料,增设导光板使结构变地更为复杂,而通过漫反射使出射光线更加发散的同时使总光通量降低。以上这些方法都能将点光源转变为面光源,但同时也带来了一些弊端。
公开号为CN 101075655A的中国申请涉及一种白光面光源发生装置,包括半导体芯片、基座,所述芯片上方固定有透镜,该透镜内设有一空腔,空腔内填充光转换材料。一方面,透镜将芯片与光转换材料隔开,省略了光转换材料覆盖在芯片表面的工序。另一方面,通过含有光转换材料的透镜吸收、激发、转化、产生白光面光源。由于光转换材料包含在了透镜中,光转换材料状态、体积以及透镜空腔的形状、层数都得以控制,因此经光转换材料层后得到的面光源在出光率、色温、色度上都有有效改善。
另外,由上述专利中的多个实施例可知,不同的光转换材料可以与不同形式的透镜连同作用,这样需在基座上留出与透镜配合的结构。这种发光装置虽然能获得理想的白光面光源,但透镜制造以及在透镜内填充光转换材料的工艺复杂,相应地,装置结构也更复杂。
公开号为CN 201462498U的中国专利涉及了一种平面光源。该平面光源包括基座,基座上设有至少一个发光二极管并罩有一反光杯。该平面光源是先将输出不同颜色光的发光二极管芯片进行电组合,再通过反光杯的反射壁进行漫反射而得到的,具有高显色性、高效率的优点。为了更好地达到以上效果,反光杯的内壁上可以设有多个小突起物,起混光作用。小突起物呈球面,表面很光亮且具有很高的反射率,其尺寸和设置根据混光需要,可以大小一样或不一,可以隔行错位或阵列排列,只要使出射光的角度和均匀性达到要求即可。由此可见,小突起的设置是为了加强漫反射,因此对其表面形状及表面加工要求都很高。
发明内容
本发明要解决的技术问题提供一种LED面光源模组,实现点光源至面光源的转换,并且得到光强均匀的白光面光源。
本发明采用以下技术方案:
一种LED面光源模组,包括基板,所述基板上设有至少一个LED点光源,所述LED点光源上方设有匀光板,所述匀光板上方设荧光粉层,所述匀光板的下表面为第一反射面,基板的上表面为第二反射面,所述匀光板上还设有多个孔,且这些孔排成阵列,所述LED点光源发出的光线在第一反射面、第二反射面之间多次反射后从匀光板的各孔中出射进入荧光粉层。
进一步地,所述LED点光源发出的光线从匀光板的各孔出射后,形成均匀的面光源。
进一步地,所述匀光板上的孔阵列被分为多个阵列区域,分别为处于中心的第一阵列区域、包围所述第一阵列区域的第二阵列区域、包围所述第二阵列的第三阵列区域,......包围第n-1阵列区域的第n阵列区域(n=1、2、3......),所述第一阵列区域中各孔的孔径为D1,所述第二阵列区域中各孔的孔径为D2,所述第三阵列区域中各孔的孔径为D3,......第n阵列区域中各孔的孔径为Dn,其中,D1<D2<D3......<Dn。
进一步地,所述匀光板的材质为PET。
进一步地,所述LED点光源为蓝光光源。
进一步地,所述基板上还设有至少一个红光点光源。
进一步地,所述荧光粉层为可替换荧光粉层。
进一步地,所述荧光粉层由一种单色荧光粉与高分子树脂混合获得,或由多种荧光粉与高分子树脂混合获得。
进一步地,所述蓝光光源主峰波长范围为440-480nm,优选地,主峰波长范围为450-470nm。
进一步地,所述红光点光源主峰波长范围为600-670nm,优选地,主峰波长范围为610-650nm。
进一步地,所述荧光粉主峰波长范围为520-580nm,优选地,主峰波长范围为540-560nm。
进一步地,所述基板为铝基板。
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