[发明专利]一种半导体非球面加工方法

权利要求书

1. 一种半导体非球面加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1）对待加工的非球面进行分析，包括非球面的外形尺寸大小测量、最接近球面的计算及偏离量的计算，以得到非球面镜加工难度以及确定加工方案细节；

步骤2）根据MRP，结合工作函数，确定出数控小磨头的工作参数，所述MRP为化学试剂在待加工非球面的半导体材料上的去除率；

步骤3）将半导体材料铣磨好最接近球面，然后固定在非球面数控加工中心上，将工作参数输入到非球面数控加工中心，对半导体材料进行抛光；

步骤4）一个周期抛光结束后，对半导体非球面进行检测，将检测数据反馈给非球面数控加工中心，重复步骤2、3、4直到半导体非球面的面形精度达标。

2. 根据权利要求1所述的半导体非球面加工方法，其特征在于，所述工作函数的表达式如下：

，式中为数控小磨头与半导体接触区域中某点单位时间内的材料去除量及工作参数；为数控小磨头与工件间的相对压力；为数控小磨头与半导体的相对运动速度；为与加工过程的比例常数。

3. 根据权利要求1或2所述的半导体非球面加工方法，其特征在于，所述MRP的表达式如下：

，式中，是化学试剂中磨料和半导体材料的接触面积，为磨料的直径，为磨料的体积浓度，为氧化原子/分子半径，为表面原子/分子的转化氧化百分数，0<<1，表示机械作用。