[发明专利]用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 201110349632.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103092009A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 曹亮;史超;汤佳杰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;高为 |
| 地址： | 214028 江苏无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用作 等离子 注入 掩蔽 光刻 去除 方法 | ||
1. 一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶用作等离子注入的掩蔽层，所述去除方法包括等离子灰化步骤；其特征在于，在所述等离子灰化步骤中，在所通入的用于形成氧等离子体的气体中混合氟化碳气体以抑制所述氧等离子体复合生成O2；并且设置等离子灰化处理过程的温度以避免所述光刻胶表面因等离子注入而形成的聚合物层产生变形。
2. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述氟化碳气体为CF4气体。
3. 如权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，用于形成氧等离子的气体为氧气，所述CF4气体与该氧气之间的气体流量比范围为0.005：1至0.045：1。
4. 如权利要求3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述CF4气体与氧气的总气体流量的范围为2500-7500标况毫升每分钟。
5. 如权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述等离子灰化处理过程的温度被设置在150℃以下。
6. 如权利要求5所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，通过设置加热装置的参数控制所述等离子灰化处理过程的温度。
7. 如权利要求6所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述加热装置为加热灯，在大于或等于800瓦至小于或等于1600瓦之间范围内设置所述加热灯的功率参数，在大于或等于30秒至小于或等于6分钟之间范围内设置加热灯的时间参数。
8. 如权利要求1-7中任一项所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在所述等离子灰化步骤之后，所述去除方法还包括步骤：采用硫酸和双氧水混合的溶液湿法去除残余光刻胶。
9. 如权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述等离子注入的剂量大于或等于1×1015离子/cm2。
10. 如权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述聚合物为碳化交联聚合物。
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