[发明专利]一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域光刻技术，尤其涉及一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法。

背景技术

由于尼康光刻机的设计特殊性，预对准需要选择和切割道平行的特殊图形，但由于各种产品的设计要求，会出现产品的设计图形干扰对准图形的信号，使得光刻机的预对准出现偏差。图1是尼康标准对准图形示意图，如图所示，若干条光刻图形对准标记1与切割带0的方向平行。目前业界普遍使用改变对准图形的线宽来避开产品图形的干扰，这样做的情况就是不同的产品可能需要不同的定义，不过使用情况也不理想，出现偏差的几率还是很高。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法，通过在光刻时改变对准图形的摆放方向来实现减少光刻机对准偏差。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法，提供光刻图形对准标记，光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内，对准图形保护带位于切割带内，切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带，光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条，其中，所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。

上述光刻图形对准标记方法，其中，所述若干相互平行的矩形条为3条。

上述光刻图形对准标记方法，其中，所述第一保护带为矩形，所述光刻图形对准标记的长度与所述第一保护带的宽度相同。

上述光刻图形对准标记方法，其中，所述第一保护带的长度为240微米。

上述光刻图形对准标记方法，其中，所述第一保护带的宽度为60微米。

上述光刻图形对准标记方法，其中，所述第二保护带紧邻所述切割带。

与已有技术相比，本发明的有益效果在于：

1、在现有光刻机的设计精度下，缩短图形的宽度，把信号扫描方向的其它干扰图形去除掉，这样就减少了干扰信号避免了对准偏差；

2、所有的产品都可以使用这个图形。

附图说明

图1是现有技术中光刻机对准过程中的光刻图形的结构示意图；

图2是本发明减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法的光刻图形的结构示意图；

图3a、图3b分别是采用标准对准图形和采用本发明对准标记图形以后的对准图形信号图；

图4是采用每批产品使用标准图形和本发明对准标记图形以后的对准和生产时间示意图。

具体实施方式

下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。

如图2所示，本发明减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法提供光刻图形对准标记1，光刻图形对准标记1位于对准图形中部第一保护带2内，对准图形保护带2位于切割带0内，切割带0两侧分别分布有第二保护带3和分隔带4。光刻图形对准标记1为若干相互平行的矩形条，矩形条垂直于切割带0方向地在对准图形中部第一保护带2内依次进行排布。与现有技术相比，其实就是在设计图形时把原来标准的图形旋转90度，然后缩短图形的宽度即可。

具体地，若干相互平行的矩形条1为3条。第一保护带2为矩形，光刻图形对准标记1的长度与第一保护带2的宽度相同。第一保护带2的长度为240微米，宽度为60微米，且第二保护带3紧邻切割带0。

采用本发明的光刻对准图形以后，参看图3a和图3b所示，通过对比可见，新型对准图形的信号波谷比较清晰，这样光刻机的对准定位就比较准确；参看图4所示，从光刻机跑每批产品需要的时间可以表明使用新型对准图形可以大大降低对准偏移的发生次数，从而避免了重复对准造成的时间浪费，并最终减少了整批产品的生产时间。

以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但本发明并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何对该光刻图形对准标记方法进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。