[发明专利]具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法

权利要求书

1.一种具有高介电常数的介电组合物，包括：

作为主要组分的由通式(Ba_1-xCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃表示的化合物，0.995≤m≤1.010，0.001≤x≤0.10，0.001≤y≤0.20；

作为第一次要组分的铝氧化物；

作为第二次要组分的选自由Mg、Sr、Ba、Ca、和Zr组成的组中的至少一种金属及其盐；

作为第三次要组分的选自由Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组中的至少一种金属及其盐；

作为第四次要组分的选自由Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、和Ni组成的组中的至少一种金属及其盐；以及

选自含有Si的玻璃形成化合物的第五次要组分。

2.根据权利要求1所述的具有高介电常数的介电组合物，其中，所述介电组合物包含基于100摩尔的所述主要组分为0.001至1.0摩尔的所述第一次要组分、0.01至4.00摩尔的所述第二次要组分、0.01至3.0摩尔的所述第三次要组分、0.01至1.5摩尔的所述第四次要组分、和0.3至3.5摩尔的所述第五次要组分。

3.根据权利要求1所述的具有高介电常数的介电组合物，其中，所述介电组合物满足在EIA规范中定义的Y5V或X5R特性。

4.多层陶瓷电容器，包括根据权利要求1所述的具有高介电常数的介电组合物。

5.一种用于多层陶瓷电容器的制备方法，包括：

混合包含主要组分和次要组分的原料粉末以制备介电组合物；

模制和层叠所述介电组合物以制备多层陶瓷片；以及

增塑所述多层陶瓷片，然后在还原气氛下烧制和再氧化所述多层陶瓷片。

6.根据权利要求5所述的用于多层陶瓷电容器的制备方法，其中，所述还原气氛为0.01％至1.0％的H₂。

7.根据权利要求5所述的用于多层陶瓷电容器的制备方法，其中，在1150至1250℃的温度下进行所述多层陶瓷片的烧制。