[发明专利]一种提高用户设备多频段双天线隔离度的方法有效

专利信息
申请号: 201110350458.6 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN103094687A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 李嵘;江华;张军;彭宏利 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01Q1/52 分类号: H01Q1/52;H01Q21/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 吴艳;龙洪
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 用户 设备 频段 天线 隔离 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种提高用户设备多频段双天线隔离度的方法。

背景技术

为了更有效地利用现有频谱资源,并促进LTE(Long Term Evolution,长期演进系统)逐渐商用,多模多连接移动终端(Multi-mode Multi-link UE,简称为M3L-UE)已受到人们的日益重视。比如3GPP(3rdGeneration Participation Plan,第三代合作伙伴计划)已经在新版本定义Type A和Type B终端为M3L-UE。由于M3L-UE是一个多无线链路同时激活的智能移动终端,因此,将面临大量的软、硬件技术和产品化实现问题。而在M3L-UE众多硬件技术问题中,射频互干扰问题是其中最亟待解决的基础关键技术问题之一。原因在于,M3L-UE是一个小型化设备,M3L-UE的多个天线距离很近,天线间的电磁互耦很强,从而导致M3L-UE各无线电模块之间存在较强的互干扰。射频互干扰问题会导致M3L-UE频谱资源的分配、物理层链路指标分配与协调、底层信令交互设计与管理等一系列基础性软硬件技术问题,也导致M3L-UE用户电磁场健康安全性问题,还会导致用户体验评价问题。互干扰问题如果在M3L-UE起步时没有得到充分克服,将会严重影响M3L-UE的正常工作。

综上所述,M3L-UE天线间的强电磁互耦是产生M3L-UE互干扰问题的重要原因。因此,如何有效降低M3L-UE天线间的强电磁互耦,或者说,如何有效提高M3L-UE天线间的隔离度,是现有技术中一个急需解决的技术问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种提高用户设备多频段双天线隔离度的方法,能够有效提高M3L-UE天线间隔离度。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种提高用户设备多频段双天线隔离度的方法,

建立针对用户设备(UE)多天线端口微波网络的目标导纳矩阵YT

根据UE多天线系统结构,得到其微波网络导纳矩阵YA

计算并确定并联微波网络导纳矩阵YB

根据所述并联导纳矩阵YB,得到集中电路。

进一步地,所述UE多天线端口包括多模多连接UE(M3L-UE)的多天线端口。

进一步地,所述M3L-UE微波网络的目标导纳矩阵YT的参数为GSM/DCS/UMTS频段内的已知反射系数和已知传输系数。

进一步地,基于M3L-UE天线系统结构,通过电磁测量或者仿真得到所述微波网络导纳矩阵YA

进一步地,所述确定并联导纳矩阵模型YB的过程,具体包括:

根据YT=YA+YB,计算得到所述并联导纳矩阵模型YB

进一步地,根据所述并联导纳矩阵YB,得到集中电路的过程,具体包括:

将所述并联导纳矩阵YB转化为散射参数矩阵SB,根据散射参数矩阵SB的反射和传输特性,选择无源无耗集中电路拓扑和表征参数。

进一步地,所述无源无耗集中电路包括:移相器、谐振电路和衰减器;

其中,所述谐振电路具体包括:第一电感和第一电容并联组成的第一并联电路,第二电感和第二电容并联组成的第二并联电路,以及所述第一并联电路和第二电路之间的由第三电感和第三电容串联组成的串联支路。

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