[发明专利]一种应用于多晶硅太阳能电池的边缘刻蚀工艺

权利要求书

1.一种应用于多晶硅太阳能电池的边缘刻蚀工艺，其特征在于，包括：

对堆叠硅片的边缘进行喷雾处理，所述喷雾处理的刻蚀浆料为能够腐蚀硅与二氧化硅的混合浆料；

将所述经过喷雾处理后的堆叠硅片放入烧结炉中进行刻蚀处理，使得所述刻蚀浆料与所述堆叠硅片充分反应，所述烧结炉的第一温区为400摄氏度、第二温区为400摄氏度、第三温区为400摄氏度、第四温区为450摄氏度，所述刻蚀处理的加热时间为120至240秒，其中有效反应时间为60至90秒。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对堆叠硅片的边缘进行喷雾处理之前进一步包括：

将硅片逐一重合堆叠，形成堆叠硅片，并在所述堆叠硅片两面加固玻璃夹板。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述经过喷雾处理后的堆叠硅片放入烧结炉中进行刻蚀处理之后进一步包括：

将所述堆叠硅片散开，并洗净所述散开后的硅片的边缘剩余的刻蚀浆料；

去除所述洗净后的硅片表面的高磷浓度硅氧化层PSG。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述洗净所述散开后的硅片的边缘剩余的刻蚀浆料包括：

将所述散开后的硅片放置于去离子水中进行超声波清洗，其中，所述去离子水的温度为50至55摄氏度，清洗时间为120至180秒。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述洗净后的硅片表面的高磷浓度硅氧化层PSG之后进一步包括：

测量所述硅片的绝缘电阻，若所述绝缘电阻大于或等于1000欧，则确认所述硅片为合格。