[发明专利]浅槽隔离结构及其进行离子注入的方法

权利要求书

1.一种浅槽隔离结构，其特征是，其截面形状呈现为正梯形，即开口处的宽度小于底部的宽度，其侧壁与底部的夹角为锐角；所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分，所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形，倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。

2.根据权利要求1所述的浅槽隔离结构，其特征是，其侧壁与底部的夹角为80～90度之间。

3.如权利要求1所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在衬底上淀积一层硬掩膜层，并采用光刻和刻蚀工艺在所述硬掩膜层上刻蚀出浅槽隔离结构的位置；

第2步，采用刻蚀工艺在衬底上刻蚀出截面形状为正梯形的沟槽；

第3步，对沟槽底部进行离子注入，从而在沟槽的底部形成掺杂区；

第4步，在沟槽的两侧壁形成内侧墙，在制作内侧墙后沟槽的截面形状转变为矩形或倒梯形；

第5步，以介质材料填充沟槽形成填充结构，沟槽中的填充结构和内侧墙一起作为浅槽隔离结构；

第6步，去除硬掩膜层。

4.根据权利要求3所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，所述方法第1步中，所述硬掩膜层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或三者的任意结合。

5.根据权利要求3所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，所述方法第4步中，所述内侧墙的高度小于或等于所述沟槽的深度。

6.根据权利要求3所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，所述方法第4步中，形成内侧墙包括：

第4.1步，在沟槽的侧壁和底部热氧化生长一层氧化硅作为衬垫氧化层；

第4.2步，淀积介质覆盖沟槽的侧壁和底部；

第4.3步，对所淀积的介质进行干法刻蚀，刻蚀终止点为沟槽底部的硅或硬掩膜层，刻蚀结束后在沟槽的侧壁上就形成了内侧墙。

7.根据权利要求6所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，所述方法第3步改为放到第4.1步和第4.2步之间进行。

8.根据权利要求6所述的浅槽隔离结构进行离子注入的方法，其特征是，所述方法第5步中，填充沟槽包括：

第5.1步，淀积一层介质材料，该层介质填充沟槽，并高于硬掩膜层；

第5.2步，采用化学机械研磨工艺对所淀积的介质进行平坦化抛光，硬掩膜层作为抛光阻挡层。