[发明专利]具有深赝埋层的锗硅HBT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有深赝埋层的锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，其特征是，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有纵向接触的第二赝埋层和第一赝埋层，且第一赝埋层相互之间横向连接。

2.根据权利要求1所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件，其特征是，第二赝埋层在横向上相互独立。

3.根据权利要求1所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件，其特征是，集电区由两个沟槽中的隔离结构和各个赝埋层所围成。

4.根据权利要求1所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件，其特征是，所述沟槽的截面形状为正梯形，即沟槽开口的宽度大于沟槽底部的宽度。

5.根据权利要求1所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件，其特征是，集电区的深度大于沟槽的深度。

6.根据权利要求1所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件，其特征是，所述沟槽中还包括内侧墙，且沟槽底部的两个内侧墙之间的距离小于沟槽开口的距离。

7.一种具有深赝埋层的锗硅HBT器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在衬底上刻蚀正梯形的沟槽；

第2步，在沟槽的底部通过离子注入工艺形成往下依次接触的第二赝埋层和第一赝埋层，所述第一赝埋层还在横向上相互连接；

第3步，先在沟槽内制作内侧墙，再以介质填充沟槽形成隔离结构；

第4步，对两个沟槽之间的衬底进行离子注入形成集电区；

第5步，在硅片表面淀积第一介质并刻蚀出基区开口，接着在硅片表面淀积一层锗硅材料并刻蚀，仅保留集电区之上的锗硅材料和第一介质；

第6步，在硅片表面淀积第二介质并刻蚀出发射极窗口，接着在硅片表面淀积一层多晶硅并刻蚀，仅保留所述基区开口区域之上的多晶硅和第二介质；

第7步，在锗硅基区之上、且在发射极和第二介质的两侧形成侧墙；同时在第一介质和锗硅基区的两侧形成侧墙；

第8步，在硅片表面淀积第三介质并进行抛光，接着在第三介质中刻蚀通孔，包括与发射极相接触的第一通孔、与第一介质相接触的第二通孔、以及与第三赝埋层相接触的第三通孔，最后以金属填充这些通孔。

8.根据权利要求7所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，沟槽侧壁与地面之间角度为80～90度。

9.根据权利要求7所述的具有深赝埋层的锗硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，采用一次或多次的离子注入形成第二赝埋层。