[发明专利]半导体发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置，更具体地讲，涉及一种集成有抑制诸如静电之类的放电的保护二极管的半导体发光装置。

背景技术

就作为光源的高输出、优异的发光效率和可靠性而言，半导体发光装置是有用的，由此，已经积极开展了对能够代替照明装置或显示装置中的背光而作为高输出且高效率的光源的半导体发光装置的研究。

总的来说，半导体发光装置包括有源层以及p型半导体和n型半导体，有源层位于p型半导体和n型半导体之间并且能够通过电子和空穴的复合发光。可以根据电极所处的位置或者根据电流路径对这种半导体发光装置进行分类，尽管这样的半导体发光装置不受具体的限制，但是这种半导体发光装置的分类可以根据主要用于半导体发光装置的基底是否导电来确定。

例如，当使用电绝缘的基底时，会需要台面蚀刻来形成连接到n型半导体层的n型电极。也就是说，部分地去除p型半导体层和有源层的部分以暴露n型半导体层区域中的一部分，并且p侧电极形成在p型半导体层的顶表面上，n侧电极形成在n型半导体层的暴露的顶表面上。

在上述电极结构中，在执行台面蚀刻工艺的过程中发光区域会减小，且发光区域会形成在与电流垂直的方向，由此难以提高贯穿整个区域的均匀的电流分布，这会引起发光效率下降。

同时，当使用导电基底时，可将导电基底用作侧电极。在该半导体发光装置结构中，与前面的结构相比，发光区域中的光损失少，并且可显著地保证其中的均匀的电流，从而可以提高发光效率。

然而，在将发光装置实现为具有大的面积来获得高输出的情况下，通过对发光装置提供诸如电极指之类的电极结构来在整个发光区域实现均匀的电流分布，但是在使用导电基底的情况下，由于设置在发光表面上的电极或者因电极的光吸收导致对光提取的限制，由此使发光效率劣化。

此外，在操作装置时，半导体发光装置会暴露于诸如静电放电(ESD)的瞬时高电压，所以会损害装置的功能。

由此需要避免损害的设计。主要地，考虑了添加特殊的保护二极管的方案，但是在这种情况下，单独的二极管要被封装并要设置在单个封装空间中，由此引发了将产品小型化的困难。

发明内容

本发明的一方面提供了一种具有其中集成有ESD保护二极管的结构的半导体发光装置。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：半导体层叠体，所述半导体层叠体包括彼此相对的第一主要表面和第二主要表面、提供所述第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供所述第二主要表面的第二导电类型半导体层以及形成在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，所述半导体层叠体被分隔槽划分为第一区域和第二区域；至少一个接触孔，形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层，从而连接到第一导电类型半导体层的一个区域；第一电极，形成在半导体层叠体的第二主要表面上，通过所述至少一个接触孔连接到第一区域的第一导电类型半导体层，并连接到第二区域的第二导电类型半导体层；第二电极，形成在第一区域的第二主要表面上并连接到第一区域的第二导电类型半导体层；电极连接单元，将所述第二电极连接到第二区域的第一导电类型半导体层。

半导体发光装置还可包括具有导电性的支撑基底，所述支撑基底设置到半导体层叠体的第二主要表面，以连接到第一电极。在这种情况下，所述支撑基底可通过镀覆工艺形成。此外，半导体发光装置还可包括形成在所述第二区域的第一导电类型半导体层上的键合焊盘。

半导体发光装置还可包括支撑基底，所述支撑基底设置在所述半导体层叠体的第二主要表面上并具有分别连接到所述第一电极和第二电极以伸到外部的第一电极引线单元和第二电极引线单元。

所述第二电极可具有暴露到分隔槽的区域，所述电极连接单元可沿所述半导体层叠体的第二区域的侧表面形成以连接到所述第二电极的暴露的区域。

在这种情况下，半导体发光装置还可包括形成在所述半导体层叠体的第二区域的侧表面上的钝化层，从而将电极连接单元与所述半导体层叠体的第二区域电隔离。

所述半导体发光装置还可包括形成在所述半导体层叠体的第二主要表面上并形成为将所述第一电极与所述第二电极分离的绝缘隔离层。

在这种情况下，绝缘隔离层可在接触孔的内侧壁与第一电极的填充在接触孔内的部分之间延伸。

第二电极可包括高反射欧姆接触层。在这种情况下，所述高反射欧姆接触层可包含从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和它们的混合物组成的组中选择的材料。