[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池，特别涉及一种背接触太阳能电池。

背景技术

背接触太阳能电池具有独特的结构，其特点是电池的正负两个电极全部 在电池的背表面制作。与传统的太阳电池相比，该种太阳电池可大大减少电 池的正表面(受光面)由于电极遮挡而引起的功率损失，提高了入射太阳光 的利用率；同时，因正负电极都在电池背面制作，电极的面积不受限制，而 且制成组件时电池间距小、应力低，是电池正面外观更加均匀和美观，在城 市建筑和一些特定场合等安装使用具有特别的优势。但是，该种太阳能电池 在丝网印刷背面电极和通孔银浆时，通孔银浆会和硅片的背表面形成接触， 导致反向漏电极为严重，影响太阳电池的转换效率。

目前，解决该问题的方法是在通孔银浆孔洞周围进行激光划线使得电池 的正负电极绝缘。然而，该技术也存在难以克服的缺陷，激光会对基片造成 损伤，造成激光处理区域复合速率过大，同时热效应造成了硅片局部质量的 退化。此外，昂贵的激光设备也使得成本过高，使得金属穿孔缠绕太阳电池 难以满足进行规模化工业生产的要求。

亟需寻找一种新的方法解决上述问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种新的太阳能电池及其制备方法。

一种太阳能电池，它的基片包括n+/p+区域与p/n区域，它的正面电极设 置于基片的正面，正面电极通过孔洞内的银浆引到背面形成引到背面的正面 电极，引到背面的正面电极与p/n区域之间设置n+/p+区域，背面电极、背电 场均设置于基片的背面，背面电极和背电场与n+/p+区域之间设置间隔。

正面电极可为正极/负极，背面电极可为负极/正极，引到背面的正面电 极与正面电极的电极相同，与背面电极的电极相反。

其中，所述引到背面的正面电极的直径为0.5～6mm，n+/p+区域的直径比 正面电极大100-1000um。

其中，所述的间隔大小为0.3～2mm。

本发明还提供了一种制备上述太阳能电池的方法，包括如下步骤：

(1)用激光器在太阳能级别晶体硅片上打孔；

(2)对打孔后的硅片进行清洗制绒；

(3)在硅衬底淀积掺杂源并单面扩散或者双面扩散制备pn结；

(4)在硅片背表面以圆孔的圆心为圆心，制备比引到背面的正面电极大 的耐酸掩膜；

(5)去除未被耐酸掩膜保护的背结，清洗耐酸掩膜，去除磷硅玻璃或硼 硅玻璃；

(6)在电池的正面制备减反膜；

(7)制备背面电极和引到背面的正面电极；

(8)制备背电场，制备背电场(9)，背电场(9)和n+/p+区域(7)有 0.3～2mm的间隔(10)；

(9)制备正面电极；

(10)烧结或者退火以形成良好的欧姆接触。

其中，所述步骤(3)中的掺杂源为磷、硼、铝、锑、镓、其他III族或V 族掺杂剂的化合物或者混合物；所述淀积包括喷涂、印刷、气态源扩散以及 其他常规的淀积方法。

所述步骤(4)还包括在硅片正面制备耐酸掩膜，该耐酸掩膜形状与步骤 (9)中正面电极(4)的形状相同；步骤(5)清洗耐酸掩膜之前，还包括清 洗正面未被耐酸掩膜保护的高复合区域。

其中，步骤(4)所述耐酸掩膜为石蜡掩膜。

其中，步骤(4)所述耐酸掩膜的制备方法为喷墨打印法或者丝网印刷法。

其中，步骤(4)所述耐酸掩膜比引到背面的正面电极的直径大 100-1000um。

本发明提供的新的太阳能电池解决了背接触太阳能电池存在的反向漏电 的问题，也未对太阳能电池的基片造成损伤，且制备的成本低，具有广阔的 应用前景。

显然，根据本发明的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段， 在不脱离本发明上述基本技术思想前提下，还可以做出其它多种形式的修改、 替换或变更。

以下通过实施例形式的具体实施方式，对本发明的上述内容再作进一步 的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。 凡基于本发明上述内容所实现的技术均属于本发明的范围。

附图说明

图1传统背接触太阳能电池

图2激光绝缘的太阳能电池

图3本发明太阳能电池