[发明专利]清洗晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗晶圆的方法，特别是涉及一种清洗嵌在金属层上的粒子的方法。

背景技术

半导体工艺包含利用多次的化学或是物理方式将集成电路制作在半导体基底上，然而在半导体工艺中，常会在晶圆表面产生污染物。

因此在半导体工艺中，最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗。晶圆清洗的目的乃是为了去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微粒(Particle)等污染物。这些污染物对于产品后续工艺的影响非常大。金属杂质的污染会造成p-n接面的漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的雪崩电压。微粒的附着则会影响光刻工艺图案转移的真实性，甚至造成电路结构的短路。因此，在晶圆清洗制程中，必须有效的去除附着于晶圆表面的有机化合物、金属杂质以及微粒，同时在清洗后晶圆表面必须无自然氧化层(Native Oxide)存在，且表面粗糙度要极小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种清洗晶圆的方法，其可更有效地清理晶圆上不需要的粒子。

根据本发明的一优选实施例，一种清洗晶圆的方法，包含以下步骤：首先将一晶圆放置在一清洗槽中，然后，进行一第一清洗步骤以超音波液体润洗晶圆，其中超音波液体被施加一超音波能量，在进行第一清洗步骤之后，进行一第二清洗步骤以刷洗晶圆，最后干燥晶圆。

根据本发明的另一优选实施例，一种清洗晶圆的方法，包含以下步骤：首先，将一晶圆放置在一清洗槽中，其中晶圆包含一金属层，多个粒子嵌入金属层的一表面，接着，进行一第一清洗步骤以超音波液体润洗晶圆，其中超音波液体被施加一超音波能量，进行所述第一清洗步骤之后，进行一第二清洗步骤以刷洗晶圆，最后干燥晶圆。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附图式，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与图式仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为根据本发明的一优选实施例所绘示的晶圆清洗槽的示意图。

图2绘示的是本发明的清洗晶圆的方法流程图。

图3绘示的是一刚完成金属工艺阶段的晶圆示意图。

图4至图7为本发明的清洗方式和传统清洗方式的实验数据图。

其中，附图标记说明如下：

10    晶圆清洗槽          12    晶圆

14    晶圆平台            16    刷子

18    液体喷嘴            20    超音波液体喷嘴

22    金属层              24    粒子

30    第一清洗步骤        40    第二清洗步骤

50    最后步骤            241   上部分

242   下部分

具体实施方式

虽然本发明以实施例揭露如下，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以后附的权利要求所界定者为准，且为了不致使本发明的精神晦涩难懂，一些习知结构与制程步骤的细节将不再于此揭露。

同样地，图示所表示为实施例中的装置示意图但并非用以限定装置的尺寸，特别是，为使本发明可更清晰地呈现，部分组件的尺寸可能放大呈现于图中。再者，多个实施例中所揭示相同的组件者，将标示相同或相似的符号以使说明更容易且清晰。

图1为根据本发明的一优选实施例所绘示的晶圆清洗槽的示意图。图2绘示的是本发明清洗晶圆的方法流程图。

请参阅图1，一晶圆清洗槽10用于清洗晶圆12，晶圆清洗槽10包含一晶圆平台14用于支撑晶圆12并且旋转晶圆12，一刷子16例如一PVA刷子和至少一液体喷嘴18皆放置于晶圆平台14的上方，液体喷嘴18的数量可以随着不同需求而调整。举例而言，如图1所示，于晶圆平台14上方的相对两侧可以放置两个液体喷嘴18。另外，一超音波液体喷嘴20亦设置在晶圆平台14上方。