[发明专利]一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法

权利要求书

1.一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用活性炭颗粒作为吸附剂。

2.一种权利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用比表面积为200~1000 m²/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。

3.一种权利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用平均孔径约为200nm、平均比表面积为750 m²/g的柱状活性炭作为吸附剂。

4.一种权利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用平均比表面积为1000 m²/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。

5.应用于权利要求1-4其中任一所述生长方法的设备，其特征在于：容器底部采用聚四氟乙烯薄板固定活性炭颗粒，载晶器斜板上存在凹槽。

6.如权利要求1-4所述其中任一所述生长方法的用途，其特征在于：可以增加DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高溶液的稳定性，用于获得高质量的DAST晶体。