[发明专利]一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种激光基质晶体材料，其特征在于，具有如下通式：(Sc_xY_1-x)₂SiO₅，其中0＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的激光基质晶体材料，其特征在于：所述的激光基质晶体材料中掺杂有三价稀土离子。

3.根据权利要求2所述的激光基质晶体材料，其特征在于：所述的激光基质晶体材料中掺杂有0.5～1.0at.％的三价稀土离子。

4.根据权利要求2或3所述的激光基质晶体材料，其特征在于：所述的三价稀土离子选自Yb³⁺、Nd³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Ho³⁺中的任意一种或几种的组合。

5.一种权利要求1所述的激光基质晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)按照化学计量比称取各组分，混合均匀并压制成型，然后进行煅烧；

b)采用提拉法进行晶体生长。

6.根据权利要求5所述的激光基质晶体材料的制备方法，其特征在于：所述的各组分为含有的各元素的氧化物。

7.根据权利要求5所述的激光基质晶体材料的制备方法，其特征在于：所述的煅烧条件是在1200～1600℃煅烧10～20小时。

8.根据权利要求5所述的激光基质晶体材料的制备方法，其特征在于，采用提拉法进行晶体生长的条件是：使用铱金(Ir)坩埚，采用<010>方向Y₂SiO₅晶体为籽晶，生长气氛为N₂，气压在0.02～0.06Mpa；原料熔融温度为1900～2000℃，晶体提拉速度为0.5～2.0mm/h，转晶速率为15～20rpm，生长10～20小时后以0.5～1.0℃/min的降温速率降至室温。

9.一种应用权利要求1所述的激光基质晶体材料制备的激光二极管(LD)。

10.一种应用权利要求1所述的激光基质晶体材料制备的泵浦的波长可调谐或超短脉冲的全固态激光器。