[发明专利]降压式功率因子修正系统有效
申请号: | 201110351072.7 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN103036418A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 蔡文田;李清然 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42;H02J15/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降压 功率 因子 修正 系统 | ||
1.一种降压式功率因子修正系统,其特征在于,包括:
一第一储能装置,用以储存与释放能量;
一第一转换装置,耦接该第一储能装置,用以传送与转换能量;
一第二储能装置,耦接该第一储能装置,用以储存与释放能量;以及
一第二转换装置,耦接该第二储能装置,用以传送与转换能量。
2.根据权利要求1所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,还包括:
一整流装置,耦接该第一储能装置,接收并整流一电源,进而产生一输入电压;以及
一负载,耦接该第一储能装置。
3.根据权利要求2所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,第一储能装置能量储存路径,为多个能量传递路径。
4.根据权利要求3所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该多个能量传递路径包括由该输入电压直接对该第一与第二储能装置充电,以形成一第一能量传递路径,且该输入电压经过该第一转换装置对该第一储能置充电,以形成一第二能量传递路径以及该第二储能装置通过该第二转换装置对该第一储能置充电,以形成一第三能量传递路径。
5.根据权利要求1所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一与第二储能装置为电容。
6.根据权利要求2所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该整流装置为为一桥式整流器。
7.根据权利要求1所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一转换装置包括一第一二极管、一第一主动开关晶体以及一第一电感,且该第二转换装置包括该第一二极管、该第一主动开关晶体、该第一电感以及一第二主动开关晶体。
8.根据权利要求7所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一能量传递路径由该输入电压经由该第一与第二储能装置以及该第二主动开关晶体的旁路二极管所形成,且该第二能量传递路径由该输入电压经由该第一储能装置、该第一转换装置所形成,且该第三能量传递路径由该第二储能装置经由该第二转换装置与第一储能装置所形成。
9.根据权利要求8所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一储能装置与该负载间形成一第四能量传递路径。
10.根据权利要求7所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第二主动开关晶体用于低频切换,而该第一主动开关晶体受高频率的脉波宽度调变所控制,且该脉波宽度通过一反馈信号进行调变。
11.根据权利要求3所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一转换装置包括一第一二极管、一第一主动开关晶体以及一第一电感,且该第二转换装置包括一第二二极管、一第二主动开关晶体以及一第二电感。
12.根据权利要求11所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,还包括:
一开关组件,耦接于该第一储能装置与该第二储能装置之间。
13.根据权利要求12所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该开关组件为一半导体二极管。
14.根据权利要求13所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一能量传递路径由该输入电压经由该第一与第二储能装置以及该半导体二极管所形成,且该第二能量传递路径由该输入电压经由该第一储能装置、该第一转换装置所形成,且该第三能量路径由该第一储能装置、该第二储能装置与该第二转换装置所形成。
15.根据权利要求14所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一储能装置与该负载间形成一第四能量传递路径。
16.根据权利要求11所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一主动开关晶体与该第二主动开关晶体均受高频率的脉波宽度调变所控制,且该脉波宽度通过反馈信号进行调变。
17.根据权利要求1所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该能量为电压或电流。
18.根据权利要求7所述的降压式功率因子修正系统,其特征在于,该第一转换装置的该第一二极管耦接该整流装置,且该第一转换装置的该第一主动开关晶体的一端耦接该第一二极管且其另一端耦接该整流装置,且该第一转换装置的该第一电感的一端耦接该第一二极管且其另一端耦接该第一储能装置。
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