[发明专利]一种退化石墨烯氧化物的电诱导还原方法

权利要求书

1.一种退化石墨烯氧化物的电诱导还原方法，其特征在于具体步骤为： 

利用化学气相沉积方法在提供的高掺杂的硅片衬底上形成石墨烯层；

将所述石墨烯层经过氧化处理形成石墨烯氧化物； 

利用电压可控的纳米尺寸导电接触探针使得绝缘性的石墨烯氧化物还原为导电性的石墨烯，或者石墨烯与石墨烯氧化物的混合物。

2.根据权利要求1所述的还原方法，其特征在于所述的氧化处理是采用反应离子刻蚀或远程等离子氧化，且选择半导体常用的刻蚀去胶设备进行氧化。

3.根据权利要求1所述的还原方法，其特征在于使用导电原子力显微镜来完成电诱导还原，所使用的导电接触探针有15--30纳米厚PtIr涂层。

4.根据权利要求1所述的还原方法，其特征在于在还原过程当中石墨烯氧化物的电位始终低于探针的电位，且电位差在3V以上。

5.根据权利要求1所述的还原方法，其特征在于衬底使用的是高浓度p型掺杂的硅片。

6.根据权利要求1所述的还原方法，其特征在于在还原过程当中，室温环境空气相对湿度高于25%。 

7.根据权利要求2所述的还原方法，其特征在于选择半导体常用的刻蚀去胶设备进行氧化的工艺条件为：功率600 W至1000W，通入氧气/氩气的气体流量比值范围是1:1至1:3，氧气和氩气的总流量的范围为200sccm至400sccm。