[发明专利]一种电源转换器、控制电路、及控制电路的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110351928.0 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN102394555A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 王钊 申请(专利权)人: 无锡中星微电子有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H01L21/8238
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 戴薇
地址: 214028 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 转换器 控制电路 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电源转换器的控制电路,其特征在于,其包括电压钳位单元、控制单元、驱动器和超高压NMOS晶体管,

所述电压钳位单元用于限制电源电压不超过其钳位电压;

所述控制单元以电源电压作为工作电压,并根据反馈电压输出控制信号;

所述驱动器根据所述控制单元输出的控制信号产生对应的门控信号;

所述门控信号通过控制超高压NMOS晶体管的栅极以控制超高压NMOS晶体管的开通和关断。

2.根据权利要求1所述的电源转换器的控制电路,其特征在于,所述电压钳位单元、所述控制单元、所述驱动器中的MOS晶体管的栅源耐受电压以及所述超高压NMOS晶体管的栅源耐受电压相同,且小于等于所述钳位电压。

3.一种电源转换器,其特征在于,其包括如权利要求1或者2所述的控制电路。

4.一种如权利要求1所述的电源转换器的控制电路的制造方法,其特征在于,其包括:

高压深N阱注入;

进行低压N阱注入;

通过光刻形成有源区;

进行多晶硅淀积;

注入重掺杂P型杂质;

注入重掺杂N型杂质;

通过光刻形成接触孔;和

溅射第一金属层。

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