[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201110351979.3 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN102466928A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 今野隆之;西田真一;伊藤英毅;石野隆行;廉谷勉 | 申请(专利权)人: | NLT科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
1.通过在公共电极和像素电极之间产生的电场驱动液晶层的IPS液晶显示装置,所述液晶显示装置包括:
TFT基板,在所述TFT基板中以矩阵提供具有显示区域的大量子像素;
对置基板,通过与所述TFT基板相对来设置;
液晶层,所述液晶层被夹在所述对置基板和所述TFT基板之间;
扫描信号布线和公共信号布线,所述扫描信号布线和公共信号布线设置在所述TFT基板上;
第一绝缘膜,所述第一绝缘膜设置在所述TFT基板、所述扫描信号布线以及所述公共信号布线上;
源电极,所述源电极设置在所述第一绝缘膜上;
第二绝缘膜,所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜和所述源电极上;
平坦化膜,所述平坦化膜设置在所述第二绝缘膜上;
公共电极,所述公共电极由透明导电膜制成,所述公共电极设置在所述平坦化膜上并且连接到所述公共信号布线;以及
像素电极,所述像素电极由透明导电膜制成,所述像素电极设置在所述平坦化膜上并且连接到所述源电极,其中:
所述平坦化膜形成在所述显示区域的所有范围中;
凹陷区域包括所述源电极上的一部分,所述凹陷区域是由所述第二绝缘膜上没有设置所述平坦化膜的区域构造的;并且
所述公共电极在所述凹陷区域内部延伸,
所述液晶显示装置进一步包括:第一存储电容器,所述第一存储电容器以所述第一绝缘膜被夹在所述公共信号布线和所述源电极之间的结构来构造;和第二存储电容器,所述第二存储电容器设置在所述凹陷区域内部,所述第二存储电容器以所述第二绝缘膜被夹在所述公共电极和所述源电极之间的结构来构造。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,进一步包括:
柱形间隔物,所述柱形间隔物设置在所述对置基板上,以保持所述对置基板和所述TFT基板之间的间隙;
子像素,在所述子像素中放置所述柱形间隔物;以及
子像素,在所述子像素中没有放置所述柱形间隔物,其中
放置所述柱形间隔物的子像素中的所述凹陷区域连续地形成到支撑所述柱形间隔物的区域,并且
所述凹陷区域内部的所述公共电极经由所述第二绝缘膜覆盖所述扫描信号布线、所述源电极以及所述扫描信号布线和所述源电极之间的区域。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置,进一步包括:公共辅助电极,所述公共辅助电极以与所述公共信号布线相同的层来形成并且连接到所述公共信号布线,其中
沿着所述扫描信号布线、在与所述第二存储电容器相对的、其间插入有所述扫描信号布线的一侧上布置所述公共辅助电极。
4.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中
在没有放置所述柱形间隔物的所述子像素中的所述扫描信号布线的上侧被所述平坦化膜覆盖,而没有被所述公共电极覆盖。
5.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中
在没有放置所述柱形间隔物的所述子像素中的所述扫描信号布线的上侧被所述平坦化膜覆盖,并且经由所述平坦化膜被所述公共电极覆盖。
6.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中:
放置所述柱形间隔物的所述子像素和没有放置所述柱形间隔物的所述子像素的所述凹陷区域的形状是相同的形状;并且
在没有放置所述柱形间隔物的所述子像素的凹陷区域内,所述公共电极经由所述第二绝缘膜覆盖所述扫描信号布线、所述源电极以及所述扫描信号布线和所述源电极之间的所述区域。
7.如权利要求2所述的液晶显示装置,进一步包括:
子像素,所述子像素包括电连接所述公共信号布线和所述公共电极的公共电极接触孔;和
子像素,不包括所述公共电极接触孔。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置,其中
全部子像素当中的包括所述公共电极接触孔的所述子像素的比例是1/3或者更少,并且在所述全部子像素中以预定的周期布置包括所述公共电极接触孔的所述子像素。
9.如权利要求7所述的液晶显示装置,其中:
所述柱形间隔物放置在不包括所述公共电极接触孔的一些所述子像素中;并且
在包括所述公共电极接触孔的所述子像素中没有放置所述柱形间隔物。
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