[发明专利]掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管无效

申请号：	201110351985.9	申请日：	2011-11-09
公开（公告）号：	CN102956710A	公开（公告）日：	2013-03-06
发明（设计）人：	赵淑云;郭海成;王文	申请（专利权）人：	广东中显科技有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/06;H01L29/41
代理公司：	北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382	代理人：	苗青盛;王凤华
地址：	528225 广东省佛***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	金属诱导多晶薄膜晶体管
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管，包括：

连续横向区域的多晶硅薄膜蚀刻成有源硅岛；

沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；

形成栅电极，将硼以4×10¹⁵/cm²计量离子注入源极和漏极；

沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；

其中，该多晶硅薄膜去除上表面的镍硅氧化物、化学氧化物和纳米二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，还包括：溅射700纳米厚的含1％Si的铝光刻形成测试电极。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，低温氧化物的厚度为50纳米。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，MIC晶核区域位于沟道区中间，同时MILC/MILC晶界位于源极和漏极节点外；或者MIC晶核区域在源极或漏极节点外而MILC/MILC晶界位于沟道区中间；或者MIC晶核区域不是在源极就是在漏极节点而MILC/MILC晶界位于源极和漏极节点区域外；或者MIC晶核区域位于源极或漏极节点外而MILC/MILC晶界区域不是在源极就是漏极节点处重叠；或者MIC晶核区域和MILC/MILC晶界区域在源极或漏极节点和有源沟道区域外。

5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，多晶硅薄膜晶体管的W/L尺寸为30μm/10μm，成核区域宽度约为2μm。

6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，所述连续横向区域的多晶硅薄膜包括：

玻璃衬底，

位于玻璃衬底上的硅氧化物，

位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层，

位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；

纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多个诱导窗口上涂布化学氧化层；该纳米二氧化硅层和化学氧化层上溅射布置镍硅氧化物层。

7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，所述硅氧化物为二氧化硅，其厚度为300nm。

8.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，多晶硅层的厚度为45nm，纳米二氧化硅层的厚度为4nm，化学氧化层的厚度为1-2nm。

9.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，纳米二氧化硅层的厚度为3纳米、4纳米、5纳米或者6纳米。

10.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，诱导窗口的宽度分别为1微米、3微米或者1-3微米中的一个，多晶硅层形成连续的带状结构。

11.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管，其中，镍硅氧化物厚度分别为7埃、10埃、14埃或者这三者之间的一个厚度。