[发明专利]芳酰亚胺共轭聚合物、其制备方法及其在有机光电子器件中的应用无效
申请号: | 201110352465.X | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN103044660A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 占肖卫;赵鑫刚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 段家荣;李炳爱 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 亚胺 共轭 聚合物 制备 方法 及其 有机 光电子 器件 中的 应用 | ||
1.包含一种或多种符合通式I的重复单位R1的聚合物:
其中:
A,A1,A2,B,B1,B2,U,U1和U2,彼此相同或不同,独立地选自VIA族原子、D-Y1、及其混合物;
D代表VA族原子;
E代表IVA族原子;
在各个可能的情况下,Y1、Y2和Y3,彼此相同或不同,独立地选自氢原子和单价的增溶基;
L是通式II二价基团
是多环烃部分,其由2到20稠合的苯环组成,其任选由一种或多种单价吸电子基取代;
Y,在各个情况下,独立地选自氢原子、单价增溶基和其混合物;
n是从1至3的整数;
n1和n2,彼此相同或不同,与n相同或不同,独立地代表从0至2的整数,
条件是n+n1+n2至多是5。
2.根据权利要求1的聚合物,其中选自萘、苝、蒄和其混合物,并任选由一种或多种单价吸电子基取代。
3.根据上述权利要求任一项的聚合物,其中L选自通式III二价基团、通式IV二价基团、通式V二价基团、通式VI二价基团及其混合物:
其中:
m、m’、m”、m”’代表从0至2的整数;
X,在各自情况下,独立地选自氢原子、单价吸电子基和其混合物;
Y,独立地,在各自情况下,选自氢原子、单价增溶基和其混合物。
4.据权利要求3的聚合物,其中L是通式III二价基团,其中m=0,如通式VII二价基团:
其中,Y’,在各个情况下,代表单价的增溶基。
5.根据权利要求3的聚合物,其中L是包含至少一个通式IV二价基团及至少一个通式V二价基团的混合物,其中m′=1,其中m″=0,例如基本上由通式VIII二价基团、通式IX二价基团组成的混合物,进一步任选包含通式X二价基团和/或通式XI二价基团:
其中:
在各个情况下,X’代表单价的吸电子基,Y’代表单价的增溶基。
6.根据上述权利要求中任一项的聚合物,其中所述单价的吸电子基彼此独立地选自氰基、C1-C60酰基、卤素、C1-C60全卤羧基、C1-C60部分地卤化烃基及其混合物,其中C1-C60部分地卤化烃基具有的卤素原子与氢原子摩尔比率为至少0.50。
7.根据上述权利要求1-4任一项的聚合物,其中所述多环烃部分没有被任何单价的吸电子基取代。
8.根据上述权利要求中任一项的聚合物,其中所述单价的增溶基彼此独立地选自C1-C60烃基、C1-C60部分地卤化烃基、被一种或多种C1-C60氧基烃基取代的苯基及其混合物,其中C1-C60部分地卤化烃基具有的卤素原子与氢原子摩尔比率为至少0.50。
9.根据上述权利要求任一项的聚合物,其中Y,在各自情况下,是单价的增溶基,其在25℃温度下当溶于至少一种选自氯仿、氯苯及四氢呋喃的溶剂时,其与相同于所述聚合物除了所述单价增溶基被氢原子替代的情况下之外的参照聚合物的溶解度相比时,增大所述聚合物的溶解度至少10%。
10.根据上述权利要求任一项的聚合物,其中Y,在各个情况下,是C2-C30烷基或被至少一个C2-C30烷基取代的苯基。
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