[发明专利]一种可调变光学衰减器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110352761.X | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102385175A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋齐望;孙麦可 | 申请（专利权）人： | 孙其琴 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 刘震 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 光学 衰减器 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调变光学衰减器，包括二氧化硅衬底，其特征在于：所述二氧化硅衬底上设有外部二氧化硅上包层，所述外部二氧化硅上包层内部设有凹槽，所述外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽，所述侧沟槽内充满热光材料，所述外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽，所述凹槽底部设有波导芯，所述波导芯上部设有内部二氧化硅上包层，所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。
2.一种制作上述可调变光学衰减器的方法，其特征在于：选用二氧化硅为衬底；在二氧化硅衬底上直接生长波导芯，将多余的掺杂芯层腐蚀掉，留下的部分作为波导芯；然后在二氧化硅衬底上形成一层完全覆盖波导芯的内部二氧化硅上包层，在内部二氧化硅上包层的上表面设置金属电极，其位置正对波导芯；将波导芯两侧的上包层分别腐蚀掉，形成两个侧沟槽；在侧沟槽内充满聚合物热光材料；最后将整个器件的表面设置一层封帽将所有元件封闭在一起。
3.根据权利要求1所述的一种可调变光学衰减器，其特征在于：所述外部二氧化硅上包层、内部二氧化硅上包层与二氧化硅衬底折射率相同。
4.根据权利要求1所述的一种可调变光学衰减器，其特征在于：所述波导芯为掺杂的二氧化硅。
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