[发明专利]金属凸块的形成

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有暴露的导电区的衬底；

将导电材料层与所述导电区相接触，所述导电材料包括与所述导电区相接触的第一区以及不与所述导电区相接触的第二区；以及

将所述第二区与所述第一区分开。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：回流所述第一区以形成一个或者多个导电凸块，或者

其中，所述导电材料层与载体介质相连接，并且

其中，所述载体介质是膜片，或者

其中，所述导电材料包括锗或者铋。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述第一区接合至所述导电区，其中至少部分地通过加热所述导电材料层实施所述接合，或者

进一步包括：在邻近所述导电区的所述衬底上方形成光刻胶。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供位于衬底上方的导电柱；

提供附接至载体介质的导电材料层；

使用所述载体介质将所述导电材料层与所述导电柱相接触；

将所述导电材料层的第一部分接合至所述导电柱；以及

从所述导电材料层的所述第一部分去除所述载体介质。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：回流所述导电材料层的所述第一部分以形成导电凸块，或者

其中，所述导电材料包括铋或者锗。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：形成位于所述衬底上方并邻近所述导电柱的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

回流所述导电材料层的所述第一部分以形成导电凸块；以及

在所述回流所述导电材料层的所述第一部分之后去除所述光刻胶，或者

进一步包括：

回流所述导电材料层的所述第一部分以形成导电凸块；以及

在所述回流所述导电材料层的所述第一部分之前去除所述光刻胶。

8.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：回流所述导电材料层的所述第一部分以形成导电凸块，其中在低于所述回流的温度下实施所述接合，或者

其中，所述提供附接于载体介质的导电材料层进一步包括：在所述载体介质上形成所述导电材料层，其中不经电镀实施形成所述导电材料层。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供位于衬底上方的导电区；

提供位于载体介质上的导电材料，所述导电材料具有第一区和第二区，所述第一区邻近所述第二区；

将所述导电材料的所述第一区附接于所述导电区；

将所述第二区与所述第一区分开；以及

回流所述导电材料的所述第一区以形成导电凸块。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述载体介质是膜片，或者

其中，所述导电材料包括铋或者锗，或者

其中，所述导电区是导电柱，或者

其中，至少部分地通过加热所述第一区实施附接所述第一区。