[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201110353550.8 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN102468106A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 长山将之;菊池英一郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具有:
处理腔室,其能够将该处理腔室的内部气密地闭塞;
处理气体供给机构,其用于向上述处理腔室内供给处理气体;
排气机构,其用于从上述处理腔室内排气;
等离子体生成机构,其用于生成上述处理气体的等离子体;
载置台,其设于上述处理腔室内,且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上;
调温机构,其用于调节上述载置台的温度;
静电吸盘,其配置于上述载置台的上表面,且具有延伸至上述聚焦环的下部的吸附用电极。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述静电吸盘的上述吸附用电极的位于上述被处理基板与上述聚焦环之间的交界部分的部分成为朝向下方弯曲的形状。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述静电吸盘具有在绝缘层之间夹设有上述吸附用电极的结构,上述绝缘层和上述吸附用电极利用喷镀形成。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述等离子体生成机构通过向上述载置台与上部电极之间供给高频电力而生成上述处理气体的等离子体,该上部电极以与该载置台相对的方式配置。
5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述静电吸盘的绝缘层是由Y2O3或Al2O3构成的喷镀被膜。
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