[发明专利]一种具有垂直磁各向异性的多层膜材料无效
申请号: | 201110354377.3 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102364618A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 刘涛;蔡建旺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F10/10 | 分类号: | H01F10/10;H01F10/12;H01F10/13;H01F10/20 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启;马知非 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 垂直 各向异性 多层 材料 | ||
1.一种具有垂直磁各向异性的多层膜材料,其特征在于,所述多层膜材料由下至上为:基片、核心缓冲层、非晶铁磁层和氧化物势垒层。
2.根据权利要求1所述多层膜材料,其特征在于,所述的基片的材料为硅、玻璃或其它化学性能稳定且表面平整的物质。
3.根据权利要求1所述多层膜材料,其特征在于,所述核心缓冲层的材质为Mo或Hf;厚度为0.5-200 nm。
4.根据权利要求1所述多层膜材料,其特征在于,所述非晶铁磁层的材质制备态下为非晶态的Co、Fe、B三元类合金,或其它非晶类铁磁材料;该非晶铁磁层的厚度为0.5-10 nm。
5.根据权利要求1所述多层膜材料,其特征在于,所述的氧化物势垒层的材质为MgO;该氧化物势垒层的厚度为0.5-10 nm。
6.一种具有垂直磁各向异性的多层膜材料,其特征在于,所述多层膜材料由下至上设置有:基片、氧化物势垒非晶铁磁层和核心保护层。
7.根据权利要求6所述多层膜材料,其特征在于,所述的基片的材料为硅、玻璃或其它化学性能稳定且表面平整的物质。
8.根据权利要求6所述多层膜材料,其特征在于,所述核心保护层的材质为Mo或Hf;厚度为0.5-200 nm。
9.根据权利要求6所述多层膜材料,其特征在于,所述非晶铁磁层的材质制备态下为非晶态的Co、Fe、B三元类合金,或其它非晶类铁磁材料;该非晶铁磁层的厚度为0.5-10 nm。
10.根据权利要求6所述多层膜材料,其特征在于,所述的氧化物势垒层的材质为MgO;该氧化物势垒层的厚度为0.5-10 nm。
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