[发明专利]高填充系数的CMOS图像传感器像素单元及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201110354390.9 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN102420946A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 何进;苏艳梅;张东维 申请(专利权)人: 深港产学研基地
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 满群
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 填充 系数 cmos 图像传感器 像素 单元 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种高填充系数的CMOS图像传感器像素单元,电连接偏置电压(Vdd1)、偏置电流(I1)和控制信号(φ1),其特征在于,包括:

仅一个P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1),P+端电连接所述控制信号,用于清零、重置、置零和截止;

仅一个源极跟随晶体管(M1),基极电连接所述P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1),射极通过读出总线电连接所述偏置电流(I1),集电极电连接所述偏置电压(Vdd1),用于读出光感信号。

2.根据权利要求1所述CMOS图像传感器像素单元,其特征在于,N×M个所述CMOS图像传感器像素单元构成像素阵列,N、M是大于1的自然数。

3.根据权利要求2所述CMOS图像传感器像素单元,其特征在于,所述像素阵列包括N个行控制信号和M条列读出总线。

4.基于权1所述CMOS图像传感器像素单元的像素阵列工作方法,其特征在于,包括以下步骤:

402)重置:对指定像素列施加高正电压的控制信号,以激活P+/N-Well/P-sub结构的二极管为节点充电;

403)读出:在重置过程完成后,将所述高正电压的控制信号置零,在一个固定光照集成时间后,光感信号将通过源极跟随晶体管被读出;

404)置零:在读出操作后,对指定像素列施加高负电压的控制信号,使所述源极跟随晶体管失效,并通过所述P+/N-Well/P-sub结构的二极管的结电容将感应节点电荷释放至零;

405)截止:将全部控制信号置零,使CMOS图像传感器像素单元输出被截断,直至下一个所述重置开始。

5.根据权利要求4所述像素阵列工作方法,其特征在于,该工作方法还包括步骤401)清零:在像素阵列运作时,对内部全体CMOS图像传感器像素单元施加一个负的偏置电压,清除内部所有节点的电荷。

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