[发明专利]增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法

权利要求书

1.一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括沟槽；

在所述沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；

对所述氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及

在所述沟槽的氮化硅衬层上形成聚硅氮烷涂布层。

2.根据权利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于对所述氮化硅衬层进行处理制程的步骤包括：

使用去离子水、酸性溶液或碱性溶液处理所述氮化硅衬层。

3.根据权利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述酸性溶液包括氯化氢HCl或HPM，所述HPM为HCl/H₂O₂/H₂O。

4.根据权利要求3所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述HPM具有以下比例：HCl/H₂O₂/H₂O＝1/2/50。

5.根据权利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述碱性溶液包括氢氧化钾KOH、氢氧化四甲基铵溶液或APM，所述APM为NH₄OH/H₂O₂/H₂O。

6.根据权利要求5所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述APM具有以下比例：NH₄OH/H₂O₂/H₂O＝1/1/50。

7.根据权利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述处理制程的制程温度为室温至100℃。

8.根据权利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于对所述氮化硅衬层进行处理制程的步骤包括：

使用蒸气处理所述氮化硅衬层。

9.根据权利要求8所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于所述蒸气处理制程的温度为100℃～200℃。

10.根据权利要求8所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，更包括平坦化所述氧化硅层。

11.根据权利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，更包括加热所述基底，氧化所述聚硅氮烷涂布层，形成氧化硅层。

12.一种形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底中形成沟槽；

形成氮化硅衬层于所述沟槽的底部和侧壁；

对所述氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及

于所述沟槽的氮化硅衬层上形成聚硅氮烷涂布层；

加热所述基底，氧化所述聚硅氮烷涂布层，以形成一氧化硅层；及

平坦化所述氧化硅层。

13.根据权利要求12所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于对所述氮化硅衬层进行处理制程的步骤包括：

使用去离子水、酸性溶液或碱性溶液处理所述氮化硅衬层。

14.根据权利要求13所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述所述酸性溶液包括氯化氢HCl或HPM，所述HPM为HCl/H₂O₂/H₂O。

15.根据权利要求14所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述HPM具有以下比例：HCl/H₂O₂/H₂O＝1/2/50。

16.根据权利要求13所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述碱性溶液包括氢氧化钾KOH、氢氧化四甲基铵溶液或APM，所述APM为NH₄OH/H₂O₂/H₂O。