[发明专利]存储器储存装置、存储器控制器与其数据传输方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在存储器芯片之间传输数据的方法，尤其涉及一种使用上述方法的存储器储存装置及其存储器控制器。

背景技术

可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小与无机械结构等特性，故被广泛地应用于各种电子装置。其中，固态硬盘(Solid State Drive，SSD)就是以可复写式非易失性存储器作为储存媒体，而被广泛地使用于计算机主机系统来作为主硬盘。

市面上大多数的固态硬盘都具有多通道(亦即，数据输入/输出总线)架构，且每一通道上会串接多个存储器芯片(memory die)。图1是现有支持与非门闪速存储器(NAND Flash)接口的固态硬盘的内部示意图，请参阅图1。固态硬盘100包括N个通道(即CH₁至CH_N)，且每一通道上串接M个存储器芯片。以同样串接在通道CH₁上的所有存储器芯片F_1-1至F_1-M为例，由于存储器芯片F_1-1至F_1-M是共用相同的读取信号RE₁、写入信号WE₁，以及数据输入/输出总线D₁，因此对通道CH₁来说，在同一时间内只能有一个存储器芯片可以执行数据的传输。正因如此，当串接于相同通道的不同存储器芯片之间需要进行数据传输时，各存储器芯片传输数据的时间则不能重叠。

举例来说，倘若要将存储器芯片F_1-1中的某笔数据复制到存储器芯片F_1-2，在图1所示的架构下，首先必须使能存储器芯片F_1-1，再利用读取信号RE₁及写入信号WE₁来控制存储器芯片F_1-1把该笔数据读出，并通过数据输入/输出总线D₁将数据存入如存储器控制器1100的缓冲存储器1105等外部存储器空间。直到数据读取动作完成之后，再利用读取信号RE₁、写入信号WE₁以及数据输入/输出总线D₁将缓冲存储器1105中的数据写回存储器芯片F_1-2。由于读取信号RE₁及写入信号WE₁在控制存储器芯片将数据读出或写入时是处于不同的状态，因此在共用同一组读取信号RE₁及写入信号WE₁的存储器芯片F_1-1与F_1-2间进行数据传输时，从存储器芯片F_1-1读出数据以及将数据写入存储器芯片F_1-2的数据传输时间便不能相互重叠。

对于采用开放式与非门闪速存储器接口(Open NAND FlashInterface，ONFI)或切换式与非门闪速存储器(Toggle NAND Flash)接口的固态硬盘来说，串接在相同通道上的所有存储器芯片在同一时间也只能有一个存储器芯片可以进行数据传输，因而当需要在上述存储器芯片之间传输数据时，就必须耗费较多的数据传输时间。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种数据传输方法、存储器控制器以及存储器储存装置，用以加快在共用相同数据输入/输出总线的数个存储器芯片之间传输数据的速度。

本发明提出一种数据传输方法，用于具有可复写式非易失性存储器模组的存储器储存装置，此可复写式非易失性存储器模组包括至少一第一存储器芯片与至少一第二存储器芯片，且上述第一存储器芯片与上述第二存储器芯片藉由同一数据输入/输出总线耦接至存储器储存装置的存储器控制器。此方法包括由存储器控制器先后将读取指令传送至上述第一存储器芯片以及将写入指令传送至上述第二存储器芯片。此方法还包括由存储器控制器控制上述第一存储器芯片与上述第二存储器芯片在同时分别执行对应读取指令将数据从第一存储器芯片读出至数据输入/输出总线上与对应写入指令将数据从数据输入/输出总线上写入至第二存储器芯片中。