[发明专利]柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法

权利要求书

1.一种柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法，首先对柔性金属基底通过清洗活化处理并镀制金属反射膜层；其特征在于：在所述镀制好的金属反射膜层上，连续镀制梯度M-Al₂O₃金属陶瓷膜层；在镀制过程中，设置金属M靶和Al靶，采用双靶共溅射的形式，采用直流磁控溅射方式进行金属M的镀制；采用脉冲反应磁控溅射方式镀制Al₂O₃；溅射用气体为氩气，反应气体为氧气； 氩气通至金属M靶面，氧气通至金属Al靶面；柔性金属基底卷绕走带先通过金属M靶，再通过Al靶，使金属M粒子在Al₂O₃介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少；所述金属M为金属Mo、Mn、Al、Au、Pt、Cu或SS；最后在所述M-Al₂O₃金属陶瓷膜层之上，镀制减反层Al₂O₃膜作为外层膜。

2.如权利要求1所述的镀制梯度金属陶瓷膜层方法，其特征在于：所述连续镀制梯度M-Al₂O₃金属陶瓷膜层时，所述金属M靶和Al靶两靶与镀膜辊的距离均为10cm，金属M靶面与镀膜辊平行；溅射用气体为氩气，反应气体为氧气； 氩气通至金属M靶面，氧气通至金属Al靶面；镀膜时柔性金属基底先通过金属M靶，再通过Al靶，走带张力控制为3～6N，收卷辊线速度为4～10cm/min，使金属M粒子在Al₂O₃介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少；

工艺条件为：将真空室本底真空抽至3x10^-3Pa，调节氩气流量为8～15sccm，氧气流量为4～8sccm，使真空室真空度保持为3×10^-1～5×10^-1Pa；不对柔性金属基底加热，使其处于自然温升状态；

此时，对金属M靶和Al靶加电压；应用直流磁控溅射进行金属M的镀制：调节金属M靶和柔性金属基底之间的距离为10cm；打开溅射电源，电压施加在金属M靶和真空室之间，待起辉后调节电源电压为200～400V，电流为1～2A，功率为200～800W；

应用脉冲反应磁控溅射镀制Al₂O₃：调节Al靶和柔性金属基底之间的距离为10cm；打开溅射电源，电压施加在金属Al靶和真空室之间，待起辉后调节电源电压为200～400V，电流为2～4A，功率为500～1500W，溅射脉冲频率5～20KHz。