[发明专利]大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法

权利要求书

1.大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法，其特征在于：

具体步骤如下：

步骤一、对柔性金属基底进行清洗活化；

步骤二、在通过步骤一处理的柔性金属基底上，镀制金属反射膜层；

步骤三、在镀制好的金属反射膜层上，连续镀制梯度M-Al₂O₃金属陶瓷膜层；在镀制过程中，设置金属M靶和Al靶，采用双靶共溅射的形式，采用直流磁控溅射方式进行金属M的镀制；采用脉冲反应磁控溅射方式镀制Al₂O₃；溅射用气体为氩气，反应气体为氧气； 氩气通至金属M靶面，氧气通至金属Al靶面；柔性金属基底卷绕走带先通过金属M靶，再通过Al靶，使金属M粒子在Al₂O₃介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少；所述金属M为金属Mo、Mn、Al、Au、Pt、Cu或SS；

步骤四、在所述M-Al₂O₃金属陶瓷膜层之上，镀制减反层Al₂O₃膜作为外层膜。

2.如权利要求1所述的连续制备方法，其特征在于：所述清洗活化采用辉光等离子体活化工艺，对柔性金属基底通过辉光等离子体进行清洗活化时，将柔性金属基底卷绕在磁控卷绕镀膜装置上，磁控卷绕镀膜装置走带张力为1～1.5N，辉光源和镀膜辊间的距离为10cm，镀膜辊温度保持在15～20℃；清洗活化时，将真空室本底真空抽至3x10^-3Pa，通入氩气的流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10^-1～3x10^-1Pa；

此时，在辉光源与真空室之间加电压，所述Al靶和金属M靶不加电压；调节电源电压为250～350V、电流为1～3A和功率为300～900W，收卷辊线速度保持在3～10mm/s，进行清洗活化。

3.如权利要求1所述的连续制备方法，其特征在于：采用直流磁控溅射方法在活化后的柔性金属基底上镀制所述金属反射膜层，先将真空室抽真空至3x10^-3Pa，调节氩气流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10^-1～3x10^-1Pa；

对所述金属Al靶加电压，所述金属M靶和辉光源不加电压；镀制时，基底走带速度为20～30cm/min，走带张力为1～1.5N，工作气体为氩气，溅射气体压强为3x10^-1Pa，溅射靶材为Al靶，溅射功率为1000W。

4.如权利要求1所述的连续制备方法，其特征在于：所述连续镀制梯度M-Al₂O₃金属陶瓷膜层时，所述金属M靶和Al靶两靶与镀膜辊的距离均为10cm，金属M靶面与镀膜辊平行；溅射用气体为氩气，反应气体为氧气； 氩气通至金属M靶面，氧气通至金属Al靶面；镀膜时基底先通过金属M靶，再通过Al靶，走带张力控制为3～6N，收卷辊线速度为4～10cm/min，使金属M粒子在Al₂O₃介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少；

工艺条件为：将真空室本底真空抽至3x10^-3Pa，调节氩气流量为8～15sccm，氧气流量为4～8sccm，使真空室真空度保持为3×10^-1～5×10^-1Pa；不对柔性金属基底加热，使其处于自然温升状态；

此时，对金属M靶和Al靶加电压，辉光源不加电压；

应用直流磁控溅射进行金属M的镀制：调节金属M靶和柔性金属基底之间的距离为10cm；打开溅射电源，电压施加在金属M靶和真空室之间，待起辉后调节电源电压为200～400V，电流为1～2A，功率为200～800W；

应用脉冲反应磁控溅射镀制Al₂O₃：调节Al靶和柔性金属基底之间的距离为10cm；打开溅射电源，电压施加在金属Al靶和真空室之间，待起辉后调节电源电压为200～400V，电流为2～4A，功率为500～1500W，溅射脉冲频率5～20KHz。

5.如权利要求1所述的连续制备方法，其特征在于：镀制所述减反层Al₂O₃膜时，将真空室本底真空抽至3x10^-3Pa；调节氩气流量为6～10sccm，氧气流量为4～6sccm，使真空室真空度为3×10^-1～5×10^-1Pa；此时，对Al靶加电压，金属M靶和辉光源不加电压，调节电源电压为200～400V，电流为1.5～2.5A，功率为500～900W，溅射脉冲频率5～20KHz；

上述过程中，走带张力控制在3～6N，收卷辊线速度为8～14cm/min。