[发明专利]宽带离子束分析器有效
申请号: | 201110354972.7 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN103107056A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 彭立波;龙会跃;谢均宇 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21;H01J37/317 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;张彬 |
地址: | 101111 北京市中关村科技*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 宽带 离子束 分析器 | ||
1.一种宽带离子束分析器,用于从宽带离子束中分离出所需的离子,其特征在于,包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭,其中:
所述上励磁线圈和下励磁线圈分别围绕所述上磁极和下磁极,所述上励磁线圈和下励磁线圈均与电源连接以在所述上磁极和下磁极之间的空间中产生均匀磁场,所述宽带离子束从所述均匀磁场的入射面射入,所述所需的离子在所述均匀磁场中偏转180°后从所述均匀磁场的出射面射出;
对应于所述均匀磁场的入射面,所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界;对应于所述均匀磁场的出射面,所述上磁极和下磁极均具有弧形的出射端边界;所述入射端边界和出射端边界的弧面半径都等于所述所需的离子在所述均匀磁场中的偏转半径;所述上磁极和下磁极的入射端边界中心与出射端边界中心之间的距离都等于所述偏转半径的两倍;
所述分析光栏用于选择性地使所述所需的离子通过,其设于所述上磁极和下磁极之间的空间中,所述分析光栏上带有分析缝,所述分析缝位于所述所需的离子在所述均匀磁场中聚焦处;
所述磁轭围绕所述上磁极和下磁极设置。
2.一种宽带离子束分析器,用于从宽带离子束中分离出所需的离子,其特征在于,包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭,其中:
所述上励磁线圈和下励磁线圈分别围绕所述上磁极和下磁极,所述上励磁线圈和下励磁线圈均与电源连接以在所述上磁极和下磁极之间的空间中产生分区均匀磁场,所述宽带离子束从所述分区均匀磁场的入射面射入,所述所需的离子在所述分区均匀磁场中偏转180°后从所述分区均匀磁场的出射面射出;所述分区均匀磁场包括均匀的入射磁场、中间磁场和出射磁场,所述入射磁场与出射磁场的强度相同,且所述入射磁场和出射磁场的强度大于所述中间磁场的强度;
对应于所述分区均匀磁场的入射面,所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界;对应于所述分区均匀磁场的出射面,所述上磁极和下磁极均具有弧形的出射端边界;
所述分析光栏用于选择性地使所述所需的离子通过,其设于所述上磁极和下磁极之间的空间中,所述分析光栏上带有分析缝,所述分析缝位于所述所需的离子在所述分区均匀磁场中聚焦处;
所述磁轭围绕所述上磁极和下磁极设置。
3.根据权利要求2所述的宽带离子束分析器,其特征在于,所述入射磁场与中间磁场的分界面以及所述中间磁场与出射磁场的分界面均为平面。
4.根据权利要求2所述的宽带离子束分析器,其特征在于,所述入射磁场与中间磁场的分界面以及所述中间磁场与出射磁场的分界面均为弧面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科信电子装备有限公司,未经北京中科信电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110354972.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。