[发明专利]一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质，其特征在于：其成分组成为：xPbO-yBaO-zSrO-aNb₂O₅-bNa₂O-cSiO₂-dR，且满足0≤x≤17.1，0≤y≤17.5，0≤z≤14.3，10.7≤a≤34，11≤b≤25.4，28≤c≤47，0≤d≤4.5，其中，R作为辅成分，为MnO₂，MgO，CaO，ZnO中的至少一种氧化物，x、y、z、a、b、c、d为摩尔比。

2.权利要求1所述的玻璃陶瓷电介质的制备方法，其特征在于该玻璃陶瓷方法包括以下步骤：

1)以PbO，BaCO₃、Ba(OH)₂或Ba(NO₃)₂中的任意一种，SrCO₃、Sr(OH)₂或Sr(NO₃)₂中的任意一种，Nb₂O₅，Na₂CO₃、NaOH或NaNO₃中的任意一种，SiO₂，以及R为原料，按照所述摩尔比例进行配料，利用翻转混料机混合4-7小时，然后将混合均匀的原料在1300-1450℃的高温下保温2-3小时；

2)采用以下任意一种方式获得玻璃片：

将熔融均匀的玻璃液快速倒入400-550℃提前预热的金属模具中，成型后放入退火炉中进行去应力退火；

或将熔融的玻璃液倒入转动的压延机两滚轴之间，轧制出1-2mm厚的玻璃薄片；

或将熔融的玻璃液倒入去离子水中进行水淬，制得玻璃碎渣，经球磨制得玻璃粉，然后将其压制成1-2mm厚度的圆薄片；

3)将步骤2)中制备的玻璃片进行可控结晶，该过程分为两步：首先在600-700℃温度范围内保温2-3小时，促使主陶瓷相均匀形核，然后缓慢升温到800-950℃保温2-3小时使晶核均匀长大，得到玻璃陶瓷电介质。