[发明专利]用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法

权利要求书

1.一种x射线管组件，其包括：

真空罩，其包括：

阴极部；

靶部；和

喉道部，其包括不导电管，所述喉道部具有耦合于所述阴极部的上游端和耦合于所述靶部的下游端；

安置在所述真空罩的靶部内的靶；和

安置在所述真空罩的阴极部内的阴极，所述阴极配置成通过所述喉道部朝所述靶发射电子流；

进一步包括在所述不导电管的内表面上形成的金属化层，所述金属化层电连接到所述x射线管组件的接地部。

2.如权利要求1所述的x射线管组件，其中所述喉道部具有由所述上游端和所述下游端之间的距离限定的长度；并且

其中所述不导电管具有小于或等于所述喉道部的长度的长度。

3.如权利要求1所述的x射线管组件，其中所述喉道部进一步包括：

上游段；

下游段；和

机械耦合在所述上游段和所述下游段之间的磁场段，所述磁场段包括所述不导电管；并且

其中产生涡流的所述上游和下游段的磁化率大于产生涡流的所述磁场段的磁化率。

4.如权利要求1所述的x射线管组件，其中所述喉道部进一步包括第二不导电管。

5.如权利要求1所述的x射线管组件，其中所述不导电管包括陶瓷。

6.一种x射线管组件，其包括：

外壳，其中形成有真空，

所述外壳包括：

阴极部；

靶部；和

喉道部，其将所述阴极部耦合至所述靶部，并且包括磁场段，所述磁场段由防止在其中产生涡流的材料制成，以及

靶，设置在所述外壳的靶部中，以及

阴极，设置在所述外壳的阴极部中以便通过所述喉道部向所述靶发射电子流；

进一步包括形成在所述磁场段的内表面上的金属化层，所述金属化层电连接到所述x射线管组件的接地部。

7.如权利要求6所述的x射线管组件，其进一步包括：

围绕所述外壳的喉道部安置并且与所述磁场段对齐的第一电磁线圈，所述第一电磁线圈配置成产生第一磁场，所述第一磁场具有在所述喉道部的磁场段中形成的最大磁通密度。

8.如权利要求7所述的x射线管组件，其包括：围绕所述外壳的喉道部安置并且与所述磁场段对齐的第二电磁线圈，其中所述第二电磁线圈配置成产生第二磁场，所述第二磁场具有在所述喉道部的磁场段中形成的最大磁通密度。

9.如权利要求7所述的x射线管组件，其中所述喉道部的磁场段具有等于所述喉道部的长度的长度。

10.如权利要求6所述的x射线管组件，其中所述喉道部进一步包括：

耦合在所述磁场段和所述外壳的阴极部之间的第一金属壁；和

耦合在所述磁场段和所述外壳的靶部之间的第二金属壁。

11.如权利要求6所述的x射线管组件，其中所述磁场段包括陶瓷。

12.一种成像系统，包括：

可旋转机架，其中具有开口用于收容待扫描的对象；

台架，位于所述可旋转机架的开口内并且通过所述开口能移动；

x射线管，耦合于所述可旋转机架，所述x射线管包括：

真空室，所述真空室包括：

   容置靶的靶部；

   容置阴极的阴极部；以及

   包括第一不导电管的喉道部，所述喉道部形成所述阴极部和所述靶部之间的用于从所述阴极发射的电子流的通道；以及

第一电磁线圈，安装在所述x射线管上并且与所述第一不导电管对齐，所述第一电磁线圈配置成在所述喉道部内产生第一磁场以操纵其中的电子流；

进一步包括在所述不导电管的内表面上形成的金属化层，所述金属化层电连接到所述x射线管组件的接地部。

13.如权利要求12所述的成像系统，进一步包括第二电磁线圈，安装在所述x射线管上并且与所述第一电磁线圈相邻，所述第二电磁线圈配置成在所述喉道部内产生第二磁场以操纵其中的电子流。