[发明专利]一种生长纳米柱阵列的方法有效
| 申请号： | 201110356194.5 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102583236A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王志高;黄增立;蔡德敏;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长纳米柱阵列的方法，其特征在于，包括步骤：
1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；
2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；
3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。
2.根据权利要求1所述的生长纳米柱阵列的方法，其特征在于，所述步骤1中金属膜的生长方式为电子束蒸镀或溅射，所述金属为金、铂、镍、铁中任意一种或几种，金属膜厚度的范围为1nm-5nm。
3.根据权利要求1所述的生长纳米柱阵列的方法，其特征在于，所述步骤3中的混合气体还包括载气。
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