[发明专利]混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用

权利要求书

1.一种在衬底上溅射硫化镉层(18)的方法，所述方法包括：

从混合靶(64)在衬底(12)上溅射包含氧的硫化镉层(18)，其中所述混合靶(64)包括镉、硫和氧。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述靶(64)包括硫化镉和氧化镉。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述靶(64)包括大约0.5摩尔％至大约25摩尔％的氧化镉和大约75摩尔％至大约99.5摩尔％的硫化镉，优选地为大约1摩尔％至大约20摩尔％的氧化镉和大约80摩尔％至大约99摩尔％的硫化镉，以及更优选地为大约5摩尔％至大约15摩尔％和大约85摩尔％至大约95摩尔％的硫化镉。

4.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述靶(64)基本上由硫化镉和氧化镉组成。

5.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述溅射气氛包括惰性气体。

6.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述硫化镉层(18)在大约10℃至大约100℃的溅射温度下溅射。

7.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，在没有后续退火的情况下溅射所述硫化镉层(18)。

8.一种制造碲化镉薄膜光伏装置(10)的方法，所述方法包括：

在透明导电氧化物层(14)上沉积电阻透明缓冲层(16)，其中所述透明导电氧化物层(14)在衬底(12)上；

如以上权利要求中的任一项所述在所述电阻透明缓冲层(16)上溅射硫化镉层(18)；以及

在所述硫化镉层(18)上沉积碲化镉层(20)。

9.一种用于溅射包含氧的硫化镉层(18)的混合靶(64)，所述混合靶(64)包括：

硫化镉；以及

氧化镉，

其中所述混合靶(64)配置成经过溅射以在衬底(12)上形成包含氧的薄膜硫化镉层(18)。

10.如权利要求9所述的混合靶(64)，其中，所述靶(64)包括大约0.5摩尔％至大约25摩尔％的氧化镉和大约75摩尔％至大约99.5摩尔％的硫化镉。

11.如权利要求9所述的混合靶(64)，其中，所述靶(64)包括大约1摩尔％至大约20摩尔％的氧化镉和大约80摩尔％至大约99摩尔％的硫化镉。

12.如权利要求9至11中的任一项所述的混合靶(64)，其中，混合靶基本上由硫化镉和氧化镉组成。