[发明专利]一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺有效
| 申请号： | 201110356287.8 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102569052A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有助于 消除 型镍硅化物 器件 结构 及其 相应 工艺 | ||
1.一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。
2.根据权利要求1所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第一步，在所述多晶硅上进行薄膜沉积，然后旋涂光阻进行光刻，再采用干法刻蚀打开氧化物。
3.根据权利要求2所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第二步，去除光阻，然后进行高温氧化。
4.根据权利要求3所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第三步，进行多晶硅栅极刻蚀，然后去除氧化层。
5.一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，包括有多晶硅，依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜作为基底，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用多晶硅栅极逆光罩，配合薄膜沉积，采用自对准干法刻蚀形成栅极顶部开槽，单次图形化和两次干法刻蚀，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。
6.根据权利要求5所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第一步，在所述多晶硅和氧化硅、氮化硅基底上采用逆光罩进行图形化工艺。
7.根据权利要求6所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第二步，进行氮化硅的沉积。
8.根据权利要求7所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第三步，进行干法刻蚀。
9.根据权利要求8所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第四步，进行高温氧化。
10.根据权利要求9所述有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，第五步，进行多晶硅栅极刻蚀，然后去除氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
