[发明专利]一类镨离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料及其用途

权利要求书

1.一类Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，材料类型为荧光粉末材料，其特征在于：在真空紫外激发下，基质晶体吸收真空紫外光子能量，然后将能量传递给掺杂Pr³⁺离子，激发态的掺杂Pr³⁺离子可以实现下转换发光，同时通过Pr³⁺离子与钨酸根间的能量传递，可将一个波长位于近紫外的光子转换可见光子，从而实现Pr³⁺离子的两个光子发射波长集中在490～650nm可见光区的下转换发光，其总的荧光量子效率可以达到200%，大大提高材料的吸收效率、能量转换效率和发光效率。

2.一类如权利要求1所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为CsRWO₄MoO₄（R=Al、La、Sc、Gd、Y、Bi等），镨离子可以部分替代式中的Sc离子，材料类型为荧光粉末材料。

3.一类如权利要求1所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为LiRWO₄MoO₄（R=Al、La、Sc、Gd、Y、Bi等），镨离子可以部分替代式中的La离子，材料类型为荧光粉末材料。

4.一类如权利要求1所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为NaRWO₄MoO₄（R=Al、La、Sc、Gd、Y、Bi等），镨离子可以部分替代式中的R离子，材料类型为荧光粉末材料。

5.一类如权利要求1所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为AR（WO₄）_2-x（MoO₄）_x（A=Li、Na、K、Rb、Cs等；R=Al、La、Sc、Gd、Y、Bi等；x=0~2），镨离子可以部分替代式中的R离子，材料类型为荧光粉末材料。

6.一类如权利要求2所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为CsScWO₄MoO₄，镨离子可以部分替代式中的钪离子，材料类型为荧光粉末材料，该晶体属单斜晶系，晶胞参数为：a=5.73?，b=7.90?，c=5.46?，α=γ=90^o，β=115.4^o，Z=4，Pr³⁺浓度不同，晶体结构参数可能有所变化。

7.一类如权利要求3所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为LiLaWO₄MoO₄，镨离子可以部分替代式中的镧离子，材料类型为荧光粉末材料，该晶体属四方晶系，空间群为I4₁/a，晶胞参数为：a=b=5.28?，c=11.46?，α=β=γ=90^o，Z=4，Pr³⁺浓度不同，晶体结构参数可能有所变。

8.一类如权利要求3所述的Pr³⁺离子掺杂复合钼钨酸盐真空紫外激发材料，其特征在于：该类材料的分子式为LiScWO₄MoO₄，镨离子可以部分替代式中的钪离子，材料类型为荧光粉末材料，该晶体属单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为：a=9.26，b=11.38?，c=4.91?，α=γ=90^o，β=90.3^o，Z=4，Pr³⁺浓度不同，晶体结构参数可能有所变化。