[发明专利]一种高纯α-氧化铝的生产方法有效

专利信息
申请号: 201110357749.8 申请日: 2011-11-11
公开(公告)号: CN102502739A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 谢刚;杨大锦;李怀仁;于站良;徐亚飞;李永刚;陈家辉 申请(专利权)人: 昆明冶金研究院
主分类号: C01F7/02 分类号: C01F7/02
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 代理人: 陈左
地址: 650031 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 氧化铝 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种高纯α-氧化铝的生产方法,其特征在于步骤如下:

(1)工业氢氧化铝或工业偏铝酸钠与盐酸于密封的反应槽内反应,得到三氯化铝溶液;

(2)三氯化铝溶液过滤后,经蒸发结晶,生成六水三氯化铝晶体;

(3)六水三氯化铝晶体在氯化氢气体的保护下高温脱水,得到无水三氯化铝粉末;

(4)无水三氯化铝粉末在真空炉内进行升华提纯,得到纯度超过99.999%的三氯化铝;

(5)高纯三氯化铝溶于氨水溶液后,经过浓缩结晶、过滤和干燥后得到高纯的氢氧化铝晶体;

(6)氢氧化铝晶体经过高温煅烧后生成高纯α-氧化铝粉末。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:采用纯度不低于80%的高纯工业氢氧化铝或工业偏铝酸钠为原料。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤1)中盐酸与工业氢氧化铝或工业偏铝酸钠按体积重量液固比为1~10:1反应时,所用盐酸浓度为10~36%,反应温度为30~90℃,反应时间为1~20h。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤2)中三氯化铝溶液过滤后,滤液在80~150℃温度下经过3~10h的蒸发结晶生成六水三氯化铝晶体。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤3)中六水三氯化铝晶体在流量2~10 m3/h的氯化氢气体保护下,于120~250℃下高温脱水得到无水三氯化铝粉末。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤4)中三氯化铝粉末在真空炉内升华时的真空度为10-2~10Pa,升华温度为150~177℃。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤5)中高纯三氯化铝粉末溶于氨水溶液氨浸作业时,反应温度控制在20~50℃;过滤后干燥至含水率低于5%得到氢氧化铝晶体。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在:步骤6)中高温煅烧氢氧化铝晶体的温度为800~1200℃。

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