[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；

位于所述半导体衬底上且贯穿所述介质层、刻蚀阻挡层和粘合层的金属布线层或导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属布线层或导电插塞的材料包括铜。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氮化硼。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度范围包括

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层的材料包括碳氮化硅层。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层的厚度范围包括

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层与所述半导体衬底之间包括：籽晶层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述籽晶层的材料包括硅和氮化硅。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述籽晶层的厚度范围包括

10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层和所述籽晶层之间还包括：吸附层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的材料包括硅。

12.如权利要求10述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的厚度范围包括

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层包括低k介质层或超低k介质层。

14.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；

依次刻蚀所述介质层、刻蚀阻挡层和粘合层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；

在所述沟槽中填充满金属层。

15.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。

16.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氮化硼。

17.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度范围包括

18.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料包括碳氮化硅层。

19.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述粘合层的厚度范围包括

20.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述粘合层之前还包括：在所述半导体衬底上形成籽晶层。

21.如权利要求20所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述籽晶层包括采用射频功率小于或等于50W的PECVD工艺。

22.如权利要求20所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述籽晶层的材料包括硅和氮化硅。

23.如权利要求20所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述籽晶层的厚度范围包括

24.如权利要求20所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述粘合层之前还包括：在所述籽晶层上形成吸附层。

25.如权利要求24所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述吸附层的材料包括硅。

26.如权利要求24所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述吸附层的厚度范围包括

27.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层包括低k介质层或超低k介质层。