[发明专利]二氧化钒薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，配制四价钒前驱生长液，将洗净的基片直接浸入到该生长液中并转入高压反应釜内，在150～250℃温度下进行水热反应0.5～96小时，通过基片的诱导作用制得具有片状VO₂堆积的二氧化钒薄膜。

2.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述水热反应时间为3～23.5小时。

3.根据权利要求1或2所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述基片为包含FTO、ITO、NTO的透明导电膜、或包含SnO₂、TiO₂、ZrO₂及其混合物任何之一的氧化物薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，还包括对制得的二氧化钒薄膜进行进一步的热处理，所述热处理是在真空中或氩气、氮气、氢气、氢/氩混合气、氧气或空气气氛中，在400～1000℃温度下退火30分钟～72小时。

5.根据权利要求1或2所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述配制四价钒前驱生长液是将五氧化二钒与还原剂在酸性水溶液中反应制得。

6.根据权利要求5所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述五氧化二钒与还原剂在酸性水溶液中的反应，其反应温度为45～100℃，反应时间为0.5～64小时。

7.根据权利要求5所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述酸性水溶液的pH值处于0～6之间。

8.根据权利要求1或2所述的二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，高压反应釜内反应的压力处于0.1～50 MPa之间。

9.一种二氧化钒薄膜，其特征在于，是由权利要求1至8所述的二氧化钒薄膜的制备方法的任何之一制备而成。