[发明专利]成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板

权利要求书

1.一种成膜装置，其是在基板上成膜钼层的成膜装置，其特征在于，具备：

成膜室，设置用于成膜所述钼层的成膜材料，且在所述基板上成膜所述钼层；及

压力梯度形成构件，将惰性气体导入至所述成膜室内，并可形成使所述成膜室内的惰性气体的压力从第1压力状态降低至低于该第1压力状态的第2压力状态的压力梯度，

所述成膜室在所述惰性气体的压力沿所述压力梯度下降的气氛中，在所述第1压力状态下进行成膜之后，在所述第2压力状态下进行成膜。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，进一步具备：

基板输送构件，输送所述成膜室内的所述基板，

所述压力梯度形成构件形成将基板输送方向的上游侧设为所述第1压力状态且将基板输送方向的下游侧设为所述第2压力状态的所述压力梯度。

3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

在所述基板输送方向上配置有多个所述成膜材料，

将惰性气体导入至所述成膜室内的气体导入口设置于比所述基板输送方向上的中央的所述成膜材料更靠上游侧。

4.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

将惰性气体导入至所述成膜室内的气体导入口设置于比所述成膜材料更靠上游侧。

5.如权利要求3或4所述的成膜装置，其特征在于，

将所述气体导入口设为第1气体导入口，且在比该第1气体导入口更靠下游侧设有将气体量少于通过所述第1气体导入口导入的气体量的惰性气体导入至所述成膜室内的第2气体导入口。

6.如权利要求2至5中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

向室外排出所述成膜室内的气体的排气口在所述基板输送方向上设置于所述气体导入口的下游侧。

7.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述压力梯度形成构件通过根据时间经过降低所述成膜室内的惰性气体的压力来形成所述压力梯度。

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

所述压力梯度形成构件使惰性气体的压力从成膜开始之后逐渐下降。

9.成膜基板制造方法，其是在基板上成膜有钼层的成膜基板的制造方法，其特征在于，具备：

成膜工序，在设置有用于成膜所述钼层的成膜材料的成膜室内，在所述基板上成膜所述钼层；及

压力梯度形成工序，将惰性气体导入至所述成膜室内，并可形成使所述成膜室内的惰性气体的压力从第1压力状态降低至低于该第1压力状态的第2压力状态的压力梯度，

所述成膜工序在所述惰性气体的压力沿所述压力梯度下降的气氛中，在所述第1压力状态下进行成膜之后，在所述第2压力状态下进行成膜。

10.如权利要求9所述的成膜基板制造方法，其特征在于，进一步具备：

基板输送工序，输送所述成膜室内的所述基板，

所述压力梯度形成工序形成将基板输送方向的上游侧设为所述第1压力状态且将基板输送方向的下游侧设为所述第2压力状态的所述压力梯度。

11.如权利要求10所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述成膜室中，在所述基板输送方向上配置有多个成膜材料，

所述压力梯度形成工序中，将惰性气体导入至比所述基板输送方向上的中央的所述成膜材料更靠上游侧。

12.如权利要求11所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述压力梯度形成工序中，将惰性气体导入至在所述成膜室内比成膜材料更靠基板输送方向的上游侧。

13.如权利要求11或12所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述压力梯度形成工序中，在所述基板输送方向上在多个不同位置导入惰性气体，并在下游侧的导入位置导入气体量少于上游侧的导入位置的惰性气体。

14.如权利要求10至13中任一项所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述压力梯度形成工序中，从惰性气体的导入位置的下游侧向室外排出所述成膜室内的气体。

15.如权利要求9所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述压力梯度形成工序中，通过根据时间经过降低所述成膜室内的惰性气体的压力来形成所述压力梯度。