[发明专利]场发射式显示器的发射源的活化方法

权利要求书

1.一种场发射式显示器的发射源的活化方法，包括：

提供一场发射式显示器，其中该场发射式显示器中装设有一吸氢材料，其中该吸氢材料已经吸收饱和氢气；

将该场发射式显示器内抽真空；

对吸氢材料进行一初始活化程序；以及

进行一活化程序，以使该吸氢材料中的氢气被释放出来。

2.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中进行该活化程序以释放出该吸氢材料中的氢气之后，该吸氢材料可再度吸收该场发射式显示器内的氢气。

3.如权利要求2所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该吸氢材料吸收该场发射式显示器内的氢气之后，可再次进行该活化程序。

4.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该活化程序包括对该吸氢材料进行一加热处理。

5.如权利要求4所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该加热处理的温度为摄氏100度至摄氏1000度。

6.如权利要求4所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该加热处理包括使用一高周波加热装置。

7.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中在该场发射式显示器通入氢气的条件包括压力为0.01～0.1atm，时间为大于2小时，且温度为室温。

8.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该场发射式显示器包括：

第一基板；

第一电极层，位于该第一基板上；

介电层，位于该第一电极层上，其中该第一电极层具有多个开口；

多个电子发射器，位于该介电层的该些开口内；

第二电极层，位于该介电层的表面上；

第二基板，位于该第一基板的对向；

发光材料层，位于该第二基板上；

第三电极层，覆盖该发光材料层；以及

密封结构，位于该第一基板与该第二基板之间，以使该第一基板、该第二基板以及该密封结构之间形成一腔体。

9.如权利要求8所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该活化程序还包括对该第二电极层施予0～35V电压，且对该第三电极层施予0～1KV电压。

10.如权利要求8所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该场发射式显示器还包括一外加容置结构，设置于该第一基板的一外表面上，该外加容置结构具有与该腔体相通的一开口，且该吸氢材料装设于外加容置结构内。

11.如权利要求8所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该吸氢材料设置在该密封结构的表面上。

12.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中在该电子发射器表面的氧化物与氢气反应所生成的一气体会被该吸氢材料吸附。

13.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该吸氢材料包括由锆(Zr)、钒(V)、铁(Fe)、钛(Ti)或其组合所形成的合金。

14.如权利要求1所述的场发射式显示器的发射源的活化方法，其中该初始活化程序的温度为摄氏150至450度。